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激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究

周 江 韦德远 徐 骏 李 伟 宋凤麒 万建国 徐 岭 马忠元

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激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究

周 江, 韦德远, 徐 骏, 李 伟, 宋凤麒, 万建国, 徐 岭, 马忠元

Electron field emission of nanocrystalline Si prepared by laser crystallization

Zhou Jiang, Wei De-Yuan, Xu Jun, Li Wei, Song Feng-Qi, Wan Jian-Guo, Xu Ling, Ma Zhong-Yuan
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-20
  • 修回日期:  2007-11-28
  • 刊出日期:  2008-03-05

激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60425414)和国家重点基础研究项目(批准号:2007CB613401)资助的课题.

摘要: 利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8.5V/μm,而场发射电流密度可以达到0.1mA/cm2.激光晶化后形成的纳米硅材料的场电子发射特性的改善可以从薄膜表面形貌的改变以及高密度纳米硅的形成所导致的内部电场增强作用来解释.

English Abstract

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