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两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

商丽燕 林 铁 周文政 郭少令 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 褚君浩

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两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

商丽燕, 林 铁, 周文政, 郭少令, 李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 褚君浩

Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands

Shang Li-Yan, Lin Tie, Zhou Wen-Zheng, Guo Shao-Ling, Li Dong-Lin, Gao Hong-Ling, Cui Li-Jie, Zeng Yi-Ping, Chu Jun-Hao
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-29
  • 修回日期:  2007-12-03
  • 刊出日期:  2008-03-05

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