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衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响

杨仕娥 文黎巍 陈永生 汪昌州 谷锦华 郜小勇 卢景霄

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衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响

杨仕娥, 文黎巍, 陈永生, 汪昌州, 谷锦华, 郜小勇, 卢景霄

Substrate temperature and B-doping effects on microstructure and electronic properties of p-type hydrogenated microcrystalline silicon films

Yang Shi-E, Wen Li-Wei, Chen Yong-Sheng, Wang Chang-Zhou, Gu Jin-Hua, Gao Xiao-Yong, Lu Jing-Xiao
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-23
  • 修回日期:  2008-02-20
  • 刊出日期:  2008-04-05

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