聚合物发光二极管中的负电容效应

黄文波; 曾文进; 王  藜; 彭俊彪

doi:10.7498/aps.57.5983

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

聚合物发光二极管中的负电容效应

黄文波 , 曾文进 , 王藜 , 彭俊彪

引用本文:

Citation:

聚合物发光二极管中的负电容效应

黄文波, 曾文进, 王藜, 彭俊彪

物理学报, 2008, 57(9): 5983-5988.

doi: 10.7498/aps.57.5983

Negative capacitance in polymer light-emitting diodes

Huang Wen-Bo, Zeng Wen-Jin, Wang Li, Peng Jun-Biao

Acta Phys. Sin., 2008, 57(9): 5983-5988.

doi: 10.7498/aps.57.5983

摘要
采用交流阻抗谱技术，研究了以共轭聚合物(poly［2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene］)(MEH-PPV)为发光层，以带有胺基的聚芴共聚物poly［(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)］ (PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性. 对于结构为ITO/P

关键词:
PF-NR2 /

聚合物发光二极管 /

交流阻抗谱 /

负电容效应
Abstract
A.c. electrical properties of the heterostructured polymer light-emitting diode consisting of poly［2-methoxy-5-(2′-ethyl-hexyloxy)- 1, 4-phenylenevinylene］(MEH-PPV) as the light-emitting layer, and poly［(9,9 - bis(3′-(N,N-dimethylamino) propyl)-2,7- fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)］ (PF-NR2) as the electron-injecting layer, are studied by using impedance spectroscopy. Negative capacitance in impedance spectroscopic data has been observed. According to the Cole-Cole plot of the device ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al, the a.c. response of MEH-PPV/PF-NR2 interface can be explained in terms of the equivalent circuit model of a parallel combination of an inductance L and a resistance RL. The experiments showed that PF-NR2 could act as an electron injecting and hole blocking layer. We propose an energy band structure schematic diagram to explain the enhancement of the EL efficiency in the ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al structure.

Keywords:
PF-NR2 /

polymer light-emitting diodes (PLEDs) /

impedance spectroscopy /

negative capacitance (NC)
作者及机构信息
黄文波¹,

曾文进¹,

王藜¹,

彭俊彪²

(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：90201031，50573024)，教育部科学技术研究重点项目(批准号：104208)和科技部“973”计划项目(批准号：2002CB61340205)资助的课题.
Authors and contacts
Huang Wen-Bo¹,

Zeng Wen-Jin¹,

Wang Li¹,

Peng Jun-Biao²

(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640
参考文献

施引文献

[1]	林翠, 白刚, 李卫, 高存法. 外延PbZr_0.2Ti_0.8O₃薄膜负电容的应变调控. 物理学报, 2021, 70(18): 187701. doi: 10.7498/aps.70.20210810
[2]	陈俊东, 韩伟华, 杨冲, 赵晓松, 郭仰岩, 张晓迪, 杨富华. 铁电负电容场效应晶体管研究进展. 物理学报, 2020, 69(13): 137701. doi: 10.7498/aps.69.20200354
[3]	邰建鹏, 郭伟玲, 李梦梅, 邓杰, 陈佳昕. GaN基微缩化发光二极管尺寸效应和阵列显示. 物理学报, 2020, 69(17): 177301. doi: 10.7498/aps.69.20200305
[4]	李琦, 章勇. 基于Al2O3/MoO3复合阳极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究. 物理学报, 2018, 67(6): 067201. doi: 10.7498/aps.67.20172311
[5]	李琦, 章勇. 基于聚多巴胺/氧化锌复合阴极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究. 物理学报, 2017, 66(19): 198201. doi: 10.7498/aps.66.198201
[6]	招瑜, 魏爱香, 刘俊. 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究. 物理学报, 2015, 64(11): 118501. doi: 10.7498/aps.64.118501
[7]	刘木林, 闵秋应, 叶志清. 硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究. 物理学报, 2012, 61(17): 178503. doi: 10.7498/aps.61.178503
[8]	焦威, 雷衍连, 张巧明, 刘亚莉, 陈林, 游胤涛, 熊祖洪. 有机发光二极管的光致磁电导效应. 物理学报, 2012, 61(18): 187305. doi: 10.7498/aps.61.187305
[9]	赵宝锋, 唐怀军, 余磊, 王保争, 文尚胜. 掺杂离子型配合物的高效聚合物白光发光二极管. 物理学报, 2011, 60(8): 088502. doi: 10.7498/aps.60.088502
[10]	刘荣, 张勇, 雷衍连, 陈平, 张巧明, 熊祖洪. LiF插层对有机发光二极管磁场效应的调控. 物理学报, 2010, 59(6): 4283-4289. doi: 10.7498/aps.59.4283
[11]	王保争, 张安琪, 吴宏滨, 杨伟, 文尚胜. 一种基于荧光材料的聚合物白光发光二极管. 物理学报, 2010, 59(6): 4240-4244. doi: 10.7498/aps.59.4240
[12]	邹建华, 兰林锋, 徐瑞霞, 杨伟, 彭俊彪. 有机薄膜晶体管驱动聚合物发光二极管研究. 物理学报, 2010, 59(2): 1275-1281. doi: 10.7498/aps.59.1275
[13]	陈焕庭, 吕毅军, 陈忠, 张海兵, 高玉琳, 陈国龙. 基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理. 物理学报, 2009, 58(8): 5700-5704. doi: 10.7498/aps.58.5700
[14]	邹建华, 陶洪, 吴宏滨, 彭俊彪. 修饰阴极界面提高聚合物白光二极管发光效率. 物理学报, 2009, 58(2): 1224-1228. doi: 10.7498/aps.58.1224
[15]	沈光地, 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲. 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究. 物理学报, 2008, 57(1): 472-476. doi: 10.7498/aps.57.472
[16]	甄红宇, 罗潺, 朱德喜, 叶辉, 王军培. 一种红光螯合电磷光聚合物光电性能的研究. 物理学报, 2008, 57(3): 1918-1923. doi: 10.7498/aps.57.1918
[17]	聂海, 张波, 唐先忠. 聚合物掺杂有机小分子发光二极管的电致发光与杂质陷阱效应. 物理学报, 2007, 56(1): 263-267. doi: 10.7498/aps.56.263
[18]	田仁玉, 阳仁强, 彭俊彪, 曹镛. CsF/Al阴极对提高芴基饱和红光器件性能的研究. 物理学报, 2007, 56(4): 2409-2414. doi: 10.7498/aps.56.2409
[19]	张秀龙, 杨盛谊, 娄志东, 侯延冰. 有机电致发光器件的动态电学特性. 物理学报, 2007, 56(3): 1632-1636. doi: 10.7498/aps.56.1632
[20]	黄文波, 彭俊彪. 高分子发光二极管载流子注入过程研究. 物理学报, 2007, 56(5): 2974-2978. doi: 10.7498/aps.56.2974

计量

文章访问数: 6715
PDF下载量: 1298
被引次数: 0

物理学报. 2008, 57(9): 5983-5988.

doi: 10.7498/aps.57.5983.

聚合物发光二极管中的负电容效应

1. (1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：90201031，50573024)，教育部科学技术研究重点项目(批准号：104208)和科技部“973”计划项目(批准号：2002CB61340205)资助的课题.

收稿日期: 2007-10-24
修回日期: 2008-03-03
刊出日期: 2008-09-20

摘要: 采用交流阻抗谱技术，研究了以共轭聚合物(poly［2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene］)(MEH-PPV)为发光层，以带有胺基的聚芴共聚物poly［(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)］ (PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性. 对于结构为ITO/P

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

聚合物发光二极管中的负电容效应

Negative capacitance in polymer light-emitting diodes

摘要

Abstract

作者及机构信息

(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

Authors and contacts

(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

参考文献

施引文献

目录

计量

聚合物发光二极管中的负电容效应

English Abstract

Negative capacitance in polymer light-emitting diodes

1.
(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

聚合物发光二极管中的负电容效应

Negative capacitance in polymer light-emitting diodes

摘要

Abstract

作者及机构信息

(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

Authors and contacts

(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

聚合物发光二极管中的负电容效应

English Abstract

Negative capacitance in polymer light-emitting diodes

1. (1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
(1)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640; (2)华南理工大学聚合物光电材料及器件研究所，广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640