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前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

张勇 刘艳 吕斌 汤乃云 王基庆 张红英

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前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

张勇, 刘艳, 吕斌, 汤乃云, 王基庆, 张红英

Influence of barrier height of the front contact on the amorphous silicon and microcrystalline silicon heterojunction solar cells

Zhang Yong, Liu Yan, Lü Bin, Tang Nai-Yun, Wang Ji-Qing, Zhang Hong-Ying
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-06
  • 修回日期:  2008-09-26
  • 刊出日期:  2009-02-05

前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

  • 1. (1)华东师范大学电子科学与工程系,上海 200062; (2)上海电力学院计算机与信息工程学院,上海 200090
    基金项目: 上海市教育委员会科研创新计划(批准号:08LZ142)资助的课题.

摘要: 运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) 程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和. 模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.

English Abstract

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