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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 李弋 傅德颐 陆海 陈鹏 韩平 郑有炓 汤晨光 陈涌海 王占国

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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

张曾, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 李弋, 傅德颐, 陆海, 陈鹏, 韩平, 郑有炓, 汤晨光, 陈涌海, 王占国
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Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD

Zhang Zeng, Zhang Rong, Xie Zi-Li, Liu Bin, Xiu Xiang-Qian, Li Yi, Fu De-Yi, Lu Hai, Chen Peng, Han Ping, Zheng You-Dou, Tang Chen-Guang, Chen Yong-Hai, Wang Zhan-Guo
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-03
  • 修回日期:  2008-11-24
  • 刊出日期:  2009-05-20

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