搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 李弋 傅德颐 陆海 陈鹏 韩平 郑有炓 汤晨光 陈涌海 王占国

引用本文:
Citation:

厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

张曾, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 李弋, 傅德颐, 陆海, 陈鹏, 韩平, 郑有炓, 汤晨光, 陈涌海, 王占国

Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD

Zhang Zeng, Zhang Rong, Xie Zi-Li, Liu Bin, Xiu Xiang-Qian, Li Yi, Fu De-Yi, Lu Hai, Chen Peng, Han Ping, Zheng You-Dou, Tang Chen-Guang, Chen Yong-Hai, Wang Zhan-Guo
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  7346
  • PDF下载量:  1278
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-03
  • 修回日期:  2008-11-24
  • 刊出日期:  2009-05-20

/

返回文章
返回