| [1] |
宋柳琴, 贾文柱, 董婉, 张逸凡, 戴忠玲, 宋远红. 容性耦合放电等离子体增强氧化硅薄膜沉积模拟研究. 物理学报,
2022, 71(17): 170201.
doi: 10.7498/aps.71.20220493
|
| [2] |
陆杨丹, 吕建国, 杨汝琪, 陆波静, 朱丽萍, 叶志镇. 透明导电ZnO:Al/Cu网格复合膜及其电加热性能. 物理学报,
2022, 71(18): 187304.
doi: 10.7498/aps.71.20220529
|
| [3] |
曹宇, 薛磊, 周静, 王义军, 倪牮, 张建军. 微晶硅锗薄膜作为近红外光吸收层在硅基薄膜太阳电池中的应用. 物理学报,
2016, 65(14): 146801.
doi: 10.7498/aps.65.146801
|
| [4] |
黄立静, 任乃飞, 李保家, 周明. 激光辐照对热退火金属/掺氟二氧化锡透明导电薄膜光电性能的影响. 物理学报,
2015, 64(3): 034211.
doi: 10.7498/aps.64.034211
|
| [5] |
谭再上, 吴小蒙, 范仲勇, 丁士进. 热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响. 物理学报,
2015, 64(10): 107701.
doi: 10.7498/aps.64.107701
|
| [6] |
陈明, 周细应, 毛秀娟, 邵佳佳, 杨国良. 外加磁场对射频磁控溅射制备铝掺杂氧化锌薄膜影响的研究. 物理学报,
2014, 63(9): 098103.
doi: 10.7498/aps.63.098103
|
| [7] |
何素明, 戴珊珊, 罗向东, 张波, 王金斌. 等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化. 物理学报,
2014, 63(12): 128102.
doi: 10.7498/aps.63.128102
|
| [8] |
丁艳丽, 朱志立, 谷锦华, 史新伟, 杨仕娥, 郜小勇, 陈永生, 卢景霄. 沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜生长标度行为的影响. 物理学报,
2010, 59(2): 1190-1195.
doi: 10.7498/aps.59.1190
|
| [9] |
曾广根, 黎兵, 郑家贵, 武莉莉, 张静全, 雷智, 李卫, 冯良桓. CdTe太阳电池前电极SnO2:F/SnO2复合薄膜性能分析. 物理学报,
2010, 59(10): 7437-7441.
doi: 10.7498/aps.59.7437
|
| [10] |
宋捷, 郭艳青, 王祥, 丁宏林, 黄锐. 激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响. 物理学报,
2010, 59(10): 7378-7382.
doi: 10.7498/aps.59.7378
|
| [11] |
袁贺, 孙长征, 徐建明, 武庆, 熊兵, 罗毅. 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作. 物理学报,
2010, 59(10): 7239-7244.
doi: 10.7498/aps.59.7239
|
| [12] |
张晓丹, 孙福和, 许盛之, 王光红, 魏长春, 孙建, 侯国付, 耿新华, 熊绍珍, 赵颖. 单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池性能优化的研究. 物理学报,
2010, 59(2): 1344-1348.
doi: 10.7498/aps.59.1344
|
| [13] |
吴臣国, 沈杰, 李栋, 马国宏. 掺钼ZnO透明导电薄膜的太赫兹电磁波传输性质. 物理学报,
2009, 58(12): 8623-8629.
doi: 10.7498/aps.58.8623
|
| [14] |
杨杭生. 等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的表面生长机理. 物理学报,
2006, 55(8): 4238-4246.
doi: 10.7498/aps.55.4238
|
| [15] |
纪爱玲, 马利波, 刘 澂, 王永谦. 纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性. 物理学报,
2004, 53(11): 3818-3822.
doi: 10.7498/aps.53.3818
|
| [16] |
杨恢东, 吴春亚, 赵 颖, 薛俊明, 耿新华, 熊绍珍. 甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究. 物理学报,
2003, 52(11): 2865-2869.
doi: 10.7498/aps.52.2865
|
| [17] |
于 威, 刘丽辉, 侯海虹, 丁学成, 韩 理, 傅广生. 螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜. 物理学报,
2003, 52(3): 687-691.
doi: 10.7498/aps.52.687
|
| [18] |
程珊华, 宁兆元, 黄峰. 等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质. 物理学报,
2002, 51(3): 668-673.
doi: 10.7498/aps.51.668
|
| [19] |
叶超, 宁兆元, 程珊华, 康健. 微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究. 物理学报,
2001, 50(4): 784-789.
doi: 10.7498/aps.50.784
|
| [20] |
宁兆元, 程珊华, 叶超. 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构. 物理学报,
2001, 50(3): 566-571.
doi: 10.7498/aps.50.566
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