负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

乔建良; 田思; 常本康; 杜晓晴; 高频

doi:10.7498/aps.58.5847

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

乔建良 , 田思 , 常本康 , 杜晓晴 , 高频

引用本文:

Citation:

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

乔建良, 田思, 常本康, 杜晓晴, 高频

物理学报, 2009, 58(8): 5847-5851.

doi: 10.7498/aps.58.5847

Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode

Qiao Jian-Liang, Tian Si, Chang Ben-Kang, Du Xiao-Qing, Gao Pin

Acta Phys. Sin., 2009, 58(8): 5847-5851.

doi: 10.7498/aps.58.5847

摘要
利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统，给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势（NEA）特性的成因，结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型，研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明：GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性，Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型［GaN（Mg）：Cs］：O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.

关键词:
负电子亲和势 /

GaN /

激活 /

光电流
Abstract
The photocurrent curves during either Cs or Cs/O activation of GaN photocathode were tested by using dedicated experimental system for activation and evaluation of negative electron affinity （NEA） photocathode. Aiming at explaining the formation of NEA property of GaN photocathode and according to the rule of photocurrent change during activation period and the surface model of a fully activated photocathode，the activation mechanism for NEA GaN photocathode was studied. The experiment results show that：the obvious NEA property is be induced in GaN photocathode mainly due to the activation by Cs. The increase extent of photocurrent is not large after introducing O during Cs/O activation process for GaN photocathode. The NEA property formation reasons of GaN photocathode after being activated successfully can be well explained using the double dipole layer model ［GaN（Mg）：Cs］：O—Cs.

Keywords:
negative electron affinity /

GaN /

activation /

photocurrent
作者及机构信息
乔建良²,

田思²,

常本康¹,

杜晓晴³,

高频¹

(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：60871012，60701013）资助的课题.
Authors and contacts
Qiao Jian-Liang²,

Tian Si²,

Chang Ben-Kang¹,

Du Xiao-Qing³,

Gao Pin¹

(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030
参考文献

施引文献

[1]	刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性. 物理学报, 2020, 69(4): 047201. doi: 10.7498/aps.69.20190640
[2]	乔建良, 徐源, 高有堂, 牛军, 常本康. 反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究. 物理学报, 2017, 66(6): 067903. doi: 10.7498/aps.66.067903
[3]	刘阳, 柴常春, 于新海, 樊庆扬, 杨银堂, 席晓文, 刘胜北. GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理. 物理学报, 2016, 65(3): 038402. doi: 10.7498/aps.65.038402
[4]	黄斌斌, 熊传兵, 张超宇, 黄基锋, 王光绪, 汤英文, 全知觉, 徐龙权, 张萌, 王立, 方文卿, 刘军林, 江风益. 硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究. 物理学报, 2014, 63(21): 217806. doi: 10.7498/aps.63.217806
[5]	李倩倩, 郝秋艳, 李英, 刘国栋. 稀土元素(Ce, Pr)掺杂GaN的电子结构和光学性质的理论研究. 物理学报, 2013, 62(1): 017103. doi: 10.7498/aps.62.017103
[6]	李飙, 常本康, 徐源, 杜晓晴, 杜玉杰, 王晓晖, 张俊举. GaN 光电阴极的研究及其发展. 物理学报, 2011, 60(8): 088503. doi: 10.7498/aps.60.088503
[7]	乔建良, 常本康, 钱芸生, 高频, 王晓晖, 徐源. 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展. 物理学报, 2011, 60(10): 107901. doi: 10.7498/aps.60.107901
[8]	乔建良, 常本康, 钱芸生, 王晓晖, 李飙, 徐源. GaN真空面电子源光电发射机理研究. 物理学报, 2011, 60(12): 127901. doi: 10.7498/aps.60.127901
[9]	付小倩, 常本康, 李飙, 王晓晖, 乔建良. 负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展. 物理学报, 2011, 60(3): 038503. doi: 10.7498/aps.60.038503
[10]	乔建良, 常本康, 杜晓晴, 牛军, 邹继军. 反射式负电子亲和势GaN光电阴极量子效率衰减机理研究. 物理学报, 2010, 59(4): 2855-2859. doi: 10.7498/aps.59.2855
[11]	乔建良, 常本康, 钱芸生, 杜晓晴, 张益军, 高频, 王晓晖, 郭向阳, 牛军, 高有堂. 负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究. 物理学报, 2010, 59(5): 3577-3582. doi: 10.7498/aps.59.3577
[12]	周梅, 常清英, 赵德刚. 一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法. 物理学报, 2008, 57(4): 2548-2553. doi: 10.7498/aps.57.2548
[13]	李倩, 郝亮, 庞文宁. GaAs极化电子源激活的yo-yo过程研究. 物理学报, 2008, 57(1): 172-175. doi: 10.7498/aps.57.172
[14]	郭亮良, 冯倩, 马香柏, 郝跃, 刘杰. GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系. 物理学报, 2007, 56(5): 2900-2904. doi: 10.7498/aps.56.2900
[15]	万威, 唐春艳, 王玉梅, 李方华. GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究. 物理学报, 2005, 54(9): 4273-4278. doi: 10.7498/aps.54.4273
[16]	徐彭寿, 邓锐, 潘海斌, 徐法强, 谢长坤, 李拥华, 刘凤琴, 易布拉欣·奎热西. GaN表面极性的光电子衍射研究. 物理学报, 2004, 53(4): 1171-1176. doi: 10.7498/aps.53.1171
[17]	何军, 郑浩平. GaN及其Ga空位的电子结构. 物理学报, 2002, 51(11): 2580-2588. doi: 10.7498/aps.51.2580
[18]	郭宝增. 用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料的电子输运特性. 物理学报, 2002, 51(10): 2344-2348. doi: 10.7498/aps.51.2344
[19]	谢长坤, 徐法强, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin. GaN(0001)表面的电子结构研究. 物理学报, 2002, 51(11): 2606-2611. doi: 10.7498/aps.51.2606
[20]	张德恒, 刘云燕, 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导. 物理学报, 2001, 50(9): 1800-1804. doi: 10.7498/aps.50.1800

计量

文章访问数: 6214
PDF下载量: 1118
被引次数: 0

物理学报. 2009, 58(8): 5847-5851.

doi: 10.7498/aps.58.5847.

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：60871012，60701013）资助的课题.

收稿日期: 2008-12-08
修回日期: 2008-12-24
刊出日期: 2009-04-05

摘要: 利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统，给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势（NEA）特性的成因，结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型，研究了NEA GaN光电阴极激活机理.实验表明：GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性，Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型［GaN（Mg）：Cs］：O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.

关键词:

负电子亲和势 /
GaN /
激活 /
光电流

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode

摘要

Abstract

作者及机构信息

(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

Authors and contacts

(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

参考文献

施引文献

目录

计量

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

English Abstract

Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode

1.
(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode

摘要

Abstract

作者及机构信息

(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

Authors and contacts

(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

English Abstract

Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode

1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京 210094；南阳理工学院电子与电气工程系，南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院，重庆 400030