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Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响

毕志伟 冯倩 郝跃 岳远征 张忠芬 毛维 杨丽媛 胡贵州

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Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响

毕志伟, 冯倩, 郝跃, 岳远征, 张忠芬, 毛维, 杨丽媛, 胡贵州

Effect of Al2O3 dielectric layer thickness on the AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor higher-electron-mobility transistor characteristics

Bi Zhi-Wei, Feng Qian, Hao Yue, Yue Yuan-Zheng, Zhang Zhong-Fen, Mao Wei, Yang Li-Yuan, Hu Gui-Zhou
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-27
  • 修回日期:  2009-02-24
  • 刊出日期:  2009-05-05

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