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γ射线辐照诱导Bi:α-BaB2O4单晶近红外宽带发光的研究

喻军 周朋 赵衡煜 吴锋 夏海平 苏良碧 徐军

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γ射线辐照诱导Bi:α-BaB2O4单晶近红外宽带发光的研究

喻军, 周朋, 赵衡煜, 吴锋, 夏海平, 苏良碧, 徐军

Study on near-infrared broadband emission spectroscopic properties of Bi-doped α-BaB2O4 single crystal induced by γ-irradiation

Yu Jun, Zhou Peng, Zhao Heng-Yu, Wu Feng, Xia Hai-Ping, Su Liang-Bi, Xu Jun
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-29
  • 修回日期:  2009-09-16
  • 刊出日期:  2010-05-15

γ射线辐照诱导Bi:α-BaB2O4单晶近红外宽带发光的研究

  • 1. (1)宁波大学光电子功能材料重点实验室,宁波 315211; (2)宁波大学光电子功能材料重点实验室,宁波 315211;中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800; (4)中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海 201800
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60778036,60938001和50972061),中国科学院百人计划,上海市科学技术委员会(批准号:08ZR1421700和08520704400),宁波市科技局项目(批准号:2009A610007)和宁波大学王宽诚幸福基金资助的课题.

摘要: 用提拉法技术生长出了掺Bi的α-BaB2O4单晶并经过γ射线辐照.测定了样品在室温下的吸收光谱、发射光谱及荧光衰减曲线.在808 nm波长光的激发下,经γ射线辐照后的α-BaB2O4单晶中发现了中心波长为1139 nm、半高宽为113 nm的近红外宽带发光现象.讨论了辐照条件和退火处理对Bi离子发光的影响.对于其发光机理进行了初步的探讨.

English Abstract

参考文献 (16)

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