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应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

刘红侠 尹湘坤 刘冰洁 郝跃

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应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

刘红侠, 尹湘坤, 刘冰洁, 郝跃

Threshold voltage analytic model for strained SiGe-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Liu Hong-Xia, Yin Xiang-Kun, Liu Bing-Jie, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-12
  • 修回日期:  2010-06-18
  • 刊出日期:  2010-06-05

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