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4H-SiC中基面位错发光特性研究

苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门

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4H-SiC中基面位错发光特性研究

苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门

Investigation of luminescence properties of basal plane dislocations in 4H-SiC

Miao Rui-Xia, Zhang Yu-Ming, Tang Xiao-Yan, Zhang Yi-Men
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-27
  • 修回日期:  2010-06-18
  • 刊出日期:  2011-03-15

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