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90 nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

刘凡宇 刘衡竹 刘必慰 梁斌 陈建军

引用本文:
Citation:

90 nm CMOS工艺下p+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

刘凡宇, 刘衡竹, 刘必慰, 梁斌, 陈建军

Effect of doping concentration in p+ deep well on charge sharing in 90nm CMOS technology

Liu Fan-Yu, Liu Heng-Zhu, Liu Bi-Wei, Liang Bin, Chen Jian-Jun
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-15
  • 修回日期:  2010-07-24
  • 刊出日期:  2011-02-05

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