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多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

屈江涛 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 胡辉勇

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多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

屈江涛, 张鹤鸣, 王冠宇, 王晓艳, 胡辉勇

Threshold voltage model for quantum-well channelpMOSFET with poly SiGe gate

Qu Jiang-Tao, Zhang He-Ming, Wang Guan-Yu, Wang Xiao-Yan, Hu Hui-Yong
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-04
  • 修回日期:  2010-08-17
  • 刊出日期:  2011-05-15

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