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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

秦希峰 梁毅 王凤翔 李双 付刚 季艳菊

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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊

Range and annealing behavior of Er ions implanted in SiC

Qin Xi-Feng, Liang Yi, Wang Feng-Xiang, Li Shuang, Fu Gang, Ji Yan-Ju
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  • 用300—500 keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些
    Er ions with an energy range of 300—500 keV are implanted in 6H-SiC crystal samples separately. The values of mean projected range Rp and range straggling ΔRp of Er ions with a dose of 5×1015 cm-2 implanted in 6H-SiC crystal are measured by Rutherford backscattering technique. The measured data are compared with TRIM code prediction. It is seen that the experimental Rp values are in good agreement with theoretical values, but for ΔRp values there are bigger differences between the experimental data and the theoretical values. Research shows that the higher the implanting energy, the heavier the damage is. Perfect recrystallization of 6H-SiC is achieved by annealing at 1400 ℃, however it is accompanied by the segregation of Er ions to the surface.
    • 基金项目: 山东建筑大学校内基金(批准号:XN070109)和山东省自然科学基金(批准号:ZR2009FM031)资助的课题.
    [1]

    Ennen H, Schneider J, Pomrenke G, Axmann A 1983 Appl. Phys. Lett. 43 943

    [2]

    Ding W C, Liu Y, Zhang Y, Guo J C, Zuo Y H, Cheng B W, Yu J Z, Wang Q M 2009 Chin. Phys. B 18 3044

    [3]

    Wang J Z, Shi Z Q, Lou H N, Zhang X L, Zuo Z W, Pu L, Ma E, Zhang R, Zheng Y L, Lu F, Shi Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 4243 (in Chinese) [王军转、石卓琼、娄昊楠、章新栾、左则文、濮 林、马 恩、张 荣、郑有炓、陆 昉、施 毅 2009 物理学报 58 4243]

    [4]

    Przybylinska H, Jantsch W, Suprun B, Stepikhova M, Palmetshofer L, Hendorfer G, Kozanecki A, Wilson R J, Sealy B J 1996 Phys. Rev. B 54 2532

    [5]

    Lei H B, Yang Q Q, Wang Q M 1998 Acta Phys. Sin. 47 1201 (in Chinese) [雷红兵、杨沁清、王启明 1998 物理学报 47 1201]

    [6]

    Liang J J, Chen W D, Wang Y Q, Chang Y, Wang Z G 2000 Chin. Phys. 9 783

    [7]

    Hansson G V, Du W X, Elfving A, Duteil F 2001 Appl. Phys. Lett. 78 2104

    [8]

    Chen C Y, Chen W D, Wang Y Q, Song S F,Xu Z J 2003 Acta Phys. Sin. 52 736 (in Chinese)[陈长勇、陈维德、王永谦、宋淑芳、许振嘉 2003 物理学报 52 736]

    [9]

    Derycke V, Soukiassian P G, Amy F, Chabal Y J, DAngelo M D, Enriquez H B, Silly M G 2003 Nat. Mater. 2 253

    [10]

    Gao X, Sun G S, Li J M, Zhang Y X, Wang L, Zhao W S, Zeng Y P 2005 Chin. Phys. 14 599

    [11]

    Lin H F, Xie E Q, Ma Z W, Zhang J, Peng A H, He D Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 2780 (in Chinese) [林洪峰、谢二庆、马紫 微、张 军、彭爱华、贺德衍 2004 物理学报 53 2780] 〖12] Rittenhous T L, Bohn P W, Hossain T K, Adesida I, Lindesay J, Marcus A 2004 J. Appl. Phys. 95 490

    [12]

    Zhang Y, Zhang C H, Zhou L H, Li B S, Yang Y T 2010 Acta Phys. Sin. 59 4130 (in Chinese) [张 勇、张崇宏、周丽宏、李炳生、杨义涛 2010 物理学报 59 4130]

    [13]

    Li B, Chen Z M, Lin T, Pu H B, Li Q M, Li J 2007 Chin. Phys. 16 3470

    [14]

    Qin X F, Wang F X, Liang Y, Fu G, Zhao Y M 2010 Acta Phys. Sin. 59 6382 (in Chinese) [秦希峰、王凤翔、梁 毅、付 刚、赵优美 2010 物理学报 59 6382]

    [15]

    Dontas I, Kennou S 2001 Diam. Relat. Mater. 10 13

    [16]

    Kozanecki A, Jeynes C, Barradas N, Sealy B J, Jantsch W 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 512

    [17]

    Awahara K, Uekusa S, Goto T 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 507

    [18]

    Kozanecki A, Glukhanyuk V, Jantsch W 2003 Mat. Sci. Eng. B 105 169

    [19]

    Chu W K, Mayer J W, Nicolet M A 1978 Backscattering Spectrometry (New York: Academic) chapt 5, p137—141

    [20]

    Liu X D 2003 Ph.D. Dissertation (Jinan: Shandong University)(in Chinese) [刘向东 2003 博士学位论文(济南:山东大学)]

    [21]

    Qin X F, Chen M, Wang X L, Fu G, Liang Y, Zhang S M 2010 Nucl. Instr. Methods B 268 1585

  • [1]

    Ennen H, Schneider J, Pomrenke G, Axmann A 1983 Appl. Phys. Lett. 43 943

    [2]

    Ding W C, Liu Y, Zhang Y, Guo J C, Zuo Y H, Cheng B W, Yu J Z, Wang Q M 2009 Chin. Phys. B 18 3044

    [3]

    Wang J Z, Shi Z Q, Lou H N, Zhang X L, Zuo Z W, Pu L, Ma E, Zhang R, Zheng Y L, Lu F, Shi Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 4243 (in Chinese) [王军转、石卓琼、娄昊楠、章新栾、左则文、濮 林、马 恩、张 荣、郑有炓、陆 昉、施 毅 2009 物理学报 58 4243]

    [4]

    Przybylinska H, Jantsch W, Suprun B, Stepikhova M, Palmetshofer L, Hendorfer G, Kozanecki A, Wilson R J, Sealy B J 1996 Phys. Rev. B 54 2532

    [5]

    Lei H B, Yang Q Q, Wang Q M 1998 Acta Phys. Sin. 47 1201 (in Chinese) [雷红兵、杨沁清、王启明 1998 物理学报 47 1201]

    [6]

    Liang J J, Chen W D, Wang Y Q, Chang Y, Wang Z G 2000 Chin. Phys. 9 783

    [7]

    Hansson G V, Du W X, Elfving A, Duteil F 2001 Appl. Phys. Lett. 78 2104

    [8]

    Chen C Y, Chen W D, Wang Y Q, Song S F,Xu Z J 2003 Acta Phys. Sin. 52 736 (in Chinese)[陈长勇、陈维德、王永谦、宋淑芳、许振嘉 2003 物理学报 52 736]

    [9]

    Derycke V, Soukiassian P G, Amy F, Chabal Y J, DAngelo M D, Enriquez H B, Silly M G 2003 Nat. Mater. 2 253

    [10]

    Gao X, Sun G S, Li J M, Zhang Y X, Wang L, Zhao W S, Zeng Y P 2005 Chin. Phys. 14 599

    [11]

    Lin H F, Xie E Q, Ma Z W, Zhang J, Peng A H, He D Y 2004 Acta Phys. Sin. 53 2780 (in Chinese) [林洪峰、谢二庆、马紫 微、张 军、彭爱华、贺德衍 2004 物理学报 53 2780] 〖12] Rittenhous T L, Bohn P W, Hossain T K, Adesida I, Lindesay J, Marcus A 2004 J. Appl. Phys. 95 490

    [12]

    Zhang Y, Zhang C H, Zhou L H, Li B S, Yang Y T 2010 Acta Phys. Sin. 59 4130 (in Chinese) [张 勇、张崇宏、周丽宏、李炳生、杨义涛 2010 物理学报 59 4130]

    [13]

    Li B, Chen Z M, Lin T, Pu H B, Li Q M, Li J 2007 Chin. Phys. 16 3470

    [14]

    Qin X F, Wang F X, Liang Y, Fu G, Zhao Y M 2010 Acta Phys. Sin. 59 6382 (in Chinese) [秦希峰、王凤翔、梁 毅、付 刚、赵优美 2010 物理学报 59 6382]

    [15]

    Dontas I, Kennou S 2001 Diam. Relat. Mater. 10 13

    [16]

    Kozanecki A, Jeynes C, Barradas N, Sealy B J, Jantsch W 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 512

    [17]

    Awahara K, Uekusa S, Goto T 1999 Nucl. Instrum. Meth. B 148 507

    [18]

    Kozanecki A, Glukhanyuk V, Jantsch W 2003 Mat. Sci. Eng. B 105 169

    [19]

    Chu W K, Mayer J W, Nicolet M A 1978 Backscattering Spectrometry (New York: Academic) chapt 5, p137—141

    [20]

    Liu X D 2003 Ph.D. Dissertation (Jinan: Shandong University)(in Chinese) [刘向东 2003 博士学位论文(济南:山东大学)]

    [21]

    Qin X F, Chen M, Wang X L, Fu G, Liang Y, Zhang S M 2010 Nucl. Instr. Methods B 268 1585

  • [1] 余森, 许晟瑞, 陶鸿昌, 王海涛, 安瑕, 杨赫, 许钪, 张进成, 郝跃. 离子注入诱导成核外延高质量AlN. 物理学报, 2024, 73(19): 196101. doi: 10.7498/aps.73.20240674
    [2] 秦希峰, 马桂杰, 时术华, 王凤翔, 付刚, 赵金花. 铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究. 物理学报, 2014, 63(17): 176101. doi: 10.7498/aps.63.176101
    [3] 杨天勇, 孔春阳, 阮海波, 秦国平, 李万俊, 梁薇薇, 孟祥丹, 赵永红, 方亮, 崔玉亭. 退火温度对N+注入ZnO:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响. 物理学报, 2012, 61(16): 168101. doi: 10.7498/aps.61.168101
    [4] 李天晶, 李公平, 马俊平, 高行新. 钴离子注入对二氧化钛晶体的结构和光学性能的影响. 物理学报, 2011, 60(11): 116102. doi: 10.7498/aps.60.116102
    [5] 刘显明, 李斌成, 高卫东, 韩艳玲. 离子注入硅片快速退火后的红外椭偏光谱研究. 物理学报, 2010, 59(3): 1632-1637. doi: 10.7498/aps.59.1632
    [6] 秦希峰, 王凤翔, 梁毅, 付刚, 赵优美. 铒离子注入6H-SiC的横向离散研究. 物理学报, 2010, 59(9): 6390-6393. doi: 10.7498/aps.59.6390
    [7] 张洪华, 张崇宏, 李炳生, 周丽宏, 杨义涛, 付云翀. 碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究. 物理学报, 2009, 58(5): 3302-3308. doi: 10.7498/aps.58.3302
    [8] 付伟佳, 刘志文, 刘明, 牟宗信, 张庆瑜, 关庆丰, 陈康敏. 离子注入Zn的Si(001)基片热氧化制备纳米ZnO团簇及其生长行为研究. 物理学报, 2009, 58(8): 5693-5699. doi: 10.7498/aps.58.5693
    [9] 苏海桥, 薛书文, 陈猛, 李志杰, 袁兆林, 付玉军, 祖小涛. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响. 物理学报, 2009, 58(10): 7108-7113. doi: 10.7498/aps.58.7108
    [10] 周丽宏, 张崇宏, 李炳生, 杨义涛, 宋 银. 注入Ar+的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析. 物理学报, 2008, 57(4): 2562-2566. doi: 10.7498/aps.57.2562
    [11] 杨义涛, 张崇宏, 周丽宏, 李炳生. 铝镁尖晶石中He离子注入引起损伤的退火行为研究. 物理学报, 2008, 57(8): 5165-5169. doi: 10.7498/aps.57.5165
    [12] 胡良均, 陈涌海, 叶小玲, 王占国. Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究. 物理学报, 2007, 56(8): 4930-4935. doi: 10.7498/aps.56.4930
    [13] 陈志权, 河裾厚男. He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究. 物理学报, 2006, 55(8): 4353-4357. doi: 10.7498/aps.55.4353
    [14] 靳惠明, Felix Adriana, Aroyave Majorri. 离子注钇对镍900℃高温氧化行为及氧化膜性能的影响研究. 物理学报, 2006, 55(11): 6157-6162. doi: 10.7498/aps.55.6157
    [15] 侯 娟, 郑毓峰, 董有忠, 匡代洪, 孙言飞, 李 强. Er3+注入CdTe薄膜的结构和光电性能研究. 物理学报, 2006, 55(12): 6684-6690. doi: 10.7498/aps.55.6684
    [16] 钟红梅, 陈效双, 王金斌, 夏长生, 王少伟, 李志锋, 徐文兰, 陆 卫. 基于离子注入技术的ZnMnO半导体材料的制备及光谱表征. 物理学报, 2006, 55(4): 2073-2077. doi: 10.7498/aps.55.2073
    [17] 刘向绯, 蒋昌忠, 任 峰, 付 强. Ag离子注入非晶SiO2的光学吸收、拉曼谱和透射电镜研究. 物理学报, 2005, 54(10): 4633-4637. doi: 10.7498/aps.54.4633
    [18] 张 丽, 蒋昌忠, 任 峰, 陈海波, 石 瑛, 付 强. Ag-Cu离子注入玻璃后不同气氛退火的光吸收研究. 物理学报, 2004, 53(9): 2910-2914. doi: 10.7498/aps.53.2910
    [19] 刘雪芹, 王印月, 甄聪棉, 张静, 杨映虎, 郭永平. 离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜. 物理学报, 2002, 51(10): 2340-2343. doi: 10.7498/aps.51.2340
    [20] 张纪才, 戴伦, 秦国刚, 应丽贞, 赵新生. 离子注入GaN的拉曼散射研究. 物理学报, 2002, 51(3): 629-634. doi: 10.7498/aps.51.629
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-08
  • 修回日期:  2010-09-19
  • 刊出日期:  2011-03-05

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