抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

翟亚红; 李平; 张国俊; 罗玉香; 范雪; 胡滨; 李俊宏; 张健; 束平

doi:10.7498/aps.60.088501

摘要

根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20 V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1 kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%20%.

关键词:

Abstract

Bipolar n-p-n transistor geometrical parameters are optimized based on the principle of minimizing the perimeter-to-area ratio (P/A). Three types of radiation-resistant n-p-n transistors are developed and fabricated in the 20 V bipolar process. The first is emitter-base junction hardened n-p-n transistor. The second has heavily boron doped base ring. And the last uses both radiation-resistant measurements. The experimental results indicate that after irradiated by the radiation of total dose of 1 kGy, in current gain, the common n-p-n(unhardened) transistor reduces about 60%65%, while the first two hardened n-p-n transistors increases 10%15%: the last hardened n-p-n transistors are 15%20% greater than the common n-p-n transistors in current gain.

Keywords:

作者及机构信息

1.
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

基金项目: 电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金(批准号:CXJJ200905)资助的课题.

Authors and contacts

1.
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China

参考文献

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