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LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频589 nm黄光激光研究

朱海永 张戈 张耀举 黄呈辉 段延敏 魏勇 尉鹏飞 于永丽

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LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频589 nm黄光激光研究

朱海永, 张戈, 张耀举, 黄呈辉, 段延敏, 魏勇, 尉鹏飞, 于永丽

LD end-pumped c-cut Nd:YVO4 laser at 589 nm generated by sef-Raman conversion and frequency doubling

Zhu Hai-Yong, Zhang Ge, Zhang Yao-Ju, Huang Cheng-Hui, Duan Yan-Min, Wei Yong, Wei Peng-Fei, Yu Yong-Li
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  • 报道了LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频黄光激光器的研究. 采用10 mm长,二类临界相位匹配角 (θ=69°,ø=0°)切割的KTP晶体作为倍频晶体. 考虑到c切Nd:YVO4跃迁截面较小,所以通过对谐振腔及晶体膜系的严格设计,减少腔内插入损耗和衍射损耗. 最终在脉冲重复率为10 kHz,抽运功率为11.2 W下,获得了最高570 mW的倍频黄光激光输出,对应抽运光到倍频黄光的转化效率约为
    In this paper we report a LD end-pumped c-cut Nd:YVO4 yellow laser generated by sef-Raman conversion and frequency doubling. A 10-mm-length KTP with critical phase matching (θ=69°, ø=0°) cut is adopted as a second-harmonic generation. For the lower stimulated-emission cross section of c-cut Nd:YVO4 crystal, the resonator cavity and the coating of crystals are carefully designed to reduce the insert loss and diffraction loss. Finally, at a repetition rate of 10 kHz and an incident pump power of 11.2 W, the average power of yellow light up to 570 mW is achieved, corresponding to an overall diode-yellow conversion efficiency of 5.1% and a slope efficiency of 6.6%. The central wavelength is at 589.17 nm with a width of 0.2 nm, which is well fitted to the sodium D2 resonance radiation.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10904143)和中国科学院光电材料化学与物理重点实验室开发课题(批准号: 2008DP173016)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-03
  • 修回日期:  2010-11-15
  • 刊出日期:  2011-09-15

LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频589 nm黄光激光研究

  • 1. (1)温州大学物理与电子信息工程学院,温州 325035; (2)温州大学物理与电子信息工程学院,温州 325035;中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室,福州 350002; (3)中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室,福州 350002
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10904143)和中国科学院光电材料化学与物理重点实验室开发课题(批准号: 2008DP173016)资助的课题.

摘要: 报道了LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频黄光激光器的研究. 采用10 mm长,二类临界相位匹配角 (θ=69°,ø=0°)切割的KTP晶体作为倍频晶体. 考虑到c切Nd:YVO4跃迁截面较小,所以通过对谐振腔及晶体膜系的严格设计,减少腔内插入损耗和衍射损耗. 最终在脉冲重复率为10 kHz,抽运功率为11.2 W下,获得了最高570 mW的倍频黄光激光输出,对应抽运光到倍频黄光的转化效率约为

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