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0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应

刘张李 胡志远 张正选 邵华 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌

引用本文:
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0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应

刘张李, 胡志远, 张正选, 邵华, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明, 邹世昌

Total ionizing dose effect of 0.18 m nMOSFETs

Liu Zhang-Li, Hu Zhi-Yuan, Zhang Zheng-Xuan, Shao Hua, Ning Bing-Xu, Bi Da-Wei, Chen Ming, Zou Shi-Chang
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-13
  • 修回日期:  2011-02-15
  • 刊出日期:  2011-11-15

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