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异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究

曹磊 刘红侠 王冠宇

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异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究

曹磊, 刘红侠, 王冠宇

Study of modeling for hetero-materiel gate fully depleted SSDOI MOSFET

Cao Lei, Liu Hong-Xia, Wang Guan-Yu
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-02-23
  • 修回日期:  2011-04-21
  • 刊出日期:  2012-01-05

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