利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积

苏元军; 徐军; 朱明; 范鹏辉; 董闯

doi:10.7498/aps.61.028104

摘要

本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300 ℃ 以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法. 利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征. 详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用, 并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法, 对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.

关键词:

Hydrogenated poly-crystalline silicon thin films are deposited by inductively coupled plasma assisted pulsed dc twin magnetron sputtering at a temperature below 300 ℃. The samples are characterized by X-ray diffraction, Raman scattering, transmission electron microscopy, and Fourier transform infrared spectroscopy. The relationship between hydrogen dilution ratio and the characteristic of thin film is studied systematically. The mechanism of crystallization is discussed on the basis of the results of diagnosis of plasma by Langmuir probe and optical emission spectra.

Keywords:

作者及机构信息

1.
大连理工大学三束表面改性教育部重点实验室, 大连 116024;

2.
日新电机-大连理工大学联合研发中心, 大连 116024

基金项目: 教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号: 707015)和辽宁省高等学校创新团队支持计划资助的课题.

Authors and contacts

1.
Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams, Dalian University of Technology, Ministry of Education, Dalian 116024 China;

2.
Nissin Electric-Dalian University of Technology Joint R&D Center, Dalian 116024 China

Funds: Project supported by the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project, Ministry of Education of China (Grant No. 707015), and the University Innovative Research Team Project of Liaoning Province.

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