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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

马骥刚 马晓华 张会龙 曹梦逸 张凯 李文雯 郭星 廖雪阳 陈伟伟 郝跃

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型

马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃

A semiempirical model for kink effect on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor

Ma Ji-Gang, Ma Xiao-Hua, Zhang Hui-Long, Cao Meng-Yi, Zhang Kai, Li Wen-Wen, Guo Xing, Liao Xue-Yang, Chen Wei-Wei, Hao Yue
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  • 初步分析了AlGaN/GaN 器件上的kink效应. 在直流模型的基础上, 建立了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型, 并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系. 该模型得出较为准确的模拟结果, 可用来判断kink效应的发生和电流的变化量. 最后, 我们采用模型仿真结合实验分析的方法, 对kink效应进行了一定的物理研究, 结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.
    Kink effect is analyzed in AlGaN/GaN devices primarily. A semiempirical model is given by analyzing the kink effect on AlGaN/GaN high electron mobility transistor and by considering the relationship between Vds,kink and gate voltage. Due to a little error between simulation results and measured data, this model can be used to identify the occurrence of kink effect and change in drain current. The analyses of experimental results and model simulation lead to a conclusion that impact ionization plays an important role in generating kink effect.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2011CBA00606)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2011CBA00606).
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-10
  • 修回日期:  2011-06-23
  • 刊出日期:  2012-02-05

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