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3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

吕玲 张进成 李亮 马晓华 曹艳荣 郝跃

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3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃

Effects of 3 MeV proton irradiations on AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Lü Ling, Zhang Jin-Cheng, Li Liang, Ma Xiao-Hua, Cao Yan-Rong, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-26
  • 修回日期:  2011-07-07
  • 刊出日期:  2012-03-05

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