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分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究

胡懿彬 郝智彪 胡健楠 钮浪 汪莱 罗毅

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分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究

胡懿彬, 郝智彪, 胡健楠, 钮浪, 汪莱, 罗毅

Studies on the composition of InGaN/AlN quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Hu Yi-Bin, Hao Zhi-Biao, Hu Jian-Nan, Niu Lang, Wang Lai, Luo Yi
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-04-19
  • 修回日期:  2012-06-28
  • 刊出日期:  2012-12-05

分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究

  • 1. 清华信息科学与技术国家实验室(筹), 清华大学电子工程系, 北京 100084
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61176015, 61176059, 60723002, 60977022, 51002085)、国家重点基础研究发展计划 (批准号: 2011CB301902, 2011CB301903)和国家高技术研究发展计划 (批准号: 2011AA03A112, 2011AA03A106, 2011AA03A105)资助的课题.

摘要: 报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料, 并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫, 以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响, 提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.

English Abstract

参考文献 (15)

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