搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 舒斌 王斌 王冠宇

引用本文:
Citation:

应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 舒斌, 王斌, 王冠宇

Physical compact modeling for threshold voltage of strained Si NMOSFET

Zhou Chun-Yu, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Zhuang Yi-Qi, Su Bin, Wang Bin, Wang Guan-Yu
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5901
  • PDF下载量:  993
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-04
  • 修回日期:  2012-11-25
  • 刊出日期:  2013-04-05

/

返回文章
返回