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基于Talbot效应的掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅的研究

范天伟 陈云琳 张进宏

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基于Talbot效应的掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅的研究

范天伟, 陈云琳, 张进宏

A study of two-dimensional hexagonal phase array grating in MgO:LN based on the Talbot effect

Fan Tian-Wei, Chen Yun-Lin, Zhang Jin-Hong
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-22
  • 修回日期:  2012-11-22
  • 刊出日期:  2013-05-05

基于Talbot效应的掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅的研究

  • 1. 北京交通大学理学院, 北京 100044
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61178052)和北京交通大学校基金(批准号:2011JBM122,2011JBZ013)资助的课题.

摘要: 本文系统研究了基于泰伯效应(Talbot) 的位相可调掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅及其光衍射成像, 对光栅占空比D、不同位相差Δφ、及泰伯分数β条件下的光栅近场光衍射强度分布进行了理论研究, 结果表明当光栅占空比D=52%、位相差Δφ=0.75 π、 泰伯分数β=0.2时, 光栅近场衍射光图像效果最佳. 实验设计与 制备了掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅, 并对其进行了Talbot衍射光成像实验研究, 得到了不同位相差和不同泰伯分数β条件下光栅近场衍射 光图像, 实验结果与理论研究结果相符.

English Abstract

参考文献 (12)

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