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单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

辛艳辉 刘红侠 范小娇 卓青青

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单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青

Threshold voltage analytical model of fully depleted strained Si single Halo silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field effect transistor

Xin Yan-Hui, Liu Hong-Xia, Fan Xiao-Jiao, Zhuo Qing-Qing
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-24
  • 修回日期:  2012-12-17
  • 刊出日期:  2013-05-05

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