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原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究

董亚斌 夏洋 李超波 卢维尔 饶志鹏 张阳 张祥 叶甜春

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原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究

董亚斌, 夏洋, 李超波, 卢维尔, 饶志鹏, 张阳, 张祥, 叶甜春

Investigation on the relationship between the properties of atomic layer deposition ZnO film and the dose of precursor

Dong Ya-Bin, Xia Yang, Li Chao-Bo, Lu Wei-Er, Rao Zhi-Peng, Zhang Yang, Zhang Xiang, Ye Tian-Chun
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  • 介绍了新型材料ZnO的各项性能,并采用原子层沉积方法制备新型材料ZnO. 实验中采用二乙基锌(DEZn) 和水作为生长ZnO的前驱体源, 在蓝宝石衬底上生长ZnO; 采用氮气作为载气, 生长温度为180℃. 通过改变在实验中的通入锌源的时间, 探索不同的DEZn的源的量对薄膜的成分(Zn/O)、薄膜的厚度、生长速率、晶型、 表面形貌、三维形貌以及粗糙度的影响.
    In this paper, we present the properties of new type of material ZnO and the ZnO films prepared on sapphire substrate through atomic layer deposition (ALD). In experiment, we use N2 as the carrier, DEZn and DI-water as the precursors. The deposition temperature is 180℃. The value of Zn/O could be modified through changing the dose of DEZn. Furthermore, we investigate the influences of Zn/O value on the thickness, growth rate, crystalline property, surface morphology, three-dimensional structure and roughness of the ZnO film prepared by the ALD method.
    • 基金项目: 国家重大科技专项(批准号: 2009ZX02037-003)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Science and Technology Major Project of China (Grant No. 2009ZX02037-003).
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-24
  • 修回日期:  2013-04-01
  • 刊出日期:  2013-07-05

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