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基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析

马明磊 吴坚 杨沐 宁永强 商广义

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基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析

马明磊, 吴坚, 杨沐, 宁永强, 商广义

Experimental characterization of polarization gain properties of 808nm semiconductor laser and analysis of energy band based on amplified spontaneous emissions from double facets

Ma Ming-Lei, Wu Jian, Yang Mu, Ning Yong-Qiang, Shang Guang-Yi
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-16
  • 修回日期:  2013-04-21
  • 刊出日期:  2013-09-05

基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析

  • 1. 北京航空航天大学应用物理系, 北京 100191;
  • 2. 发光学与应用国家重点实验室, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 长春 130033
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10974012)资助的课题.

摘要: 通过半导体激光器两端的放大自发荧光辐射可以获取器件的光学增益信息. 本文利用这一新的增益实验测量方法, 开展了对连续运行的808nm GaAs/AlGaAs量子阱激光器横向电场 (TE)与磁场(TM)偏振增益特性的实验研究. 通过将实验结果与理论增益曲线对比, 分析了非应变GaAs量子阱TE和TM极化偏振对应的空穴子能带随注入电流的变化规律, 以及激光器在连续运行状态下的实际增益状态和影响因素.

English Abstract

参考文献 (18)

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