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反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

陈海峰

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反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

陈海峰

Characteristics of gate-modulated generation current under the reverse substrate bias in nano-nMOSFET

Chen Hai-Feng
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-25
  • 修回日期:  2013-05-08
  • 刊出日期:  2013-09-05

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