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总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响

刘红侠 王志 卓青青 王倩琼

引用本文:
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总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响

刘红侠, 王志, 卓青青, 王倩琼

Influence of channel length on PD SOI PMOS devices under total dose irradiation

Liu Hong-Xia, Wang Zhi, Zhuo Qing-Qing, Wang Qian-Qiong
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-07-14
  • 修回日期:  2013-09-29
  • 刊出日期:  2014-01-05

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