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累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

肖尧 郭红霞 张凤祁 赵雯 王燕萍 丁李利 范雪 罗尹虹 张科营

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累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

肖尧, 郭红霞, 张凤祁, 赵雯, 王燕萍, 丁李利, 范雪, 罗尹虹, 张科营

Synergistic effects of total ionizing dose on the single event effect sensitivity of static random access memory

Xiao Yao, Guo Hong-Xia, Zhang Feng-Qi, Zhao Wen, Wang Yan-Ping, Ding Li-Li, Fan Xue, Luo Yin-Hong, Zhang Ke-Ying
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-18
  • 修回日期:  2013-09-11
  • 刊出日期:  2014-01-05

累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

  • 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西北核技术研究所, 西安 710024;
  • 2. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
    基金项目: 电子薄膜与集成器件国家重点实验室(批准号:KFJJ201306)资助的课题.

摘要: 本文利用 60Co 源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM 器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理. 研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致反印记效应. 研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.

English Abstract

参考文献 (16)

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