搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

刘翔宇 胡辉勇 张鹤鸣 宣荣喜 宋建军 舒斌 王斌 王萌

引用本文:
Citation:

具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究

刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌

Study on the strained SiGe p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with polycrystalline silicon germanium gate threshold voltage

Liu Xiang-Yu, Hu Hui-Yong, Zhang He-Ming, Xuan Rong-Xi, Song Jian-Jun, Shu Bin, Wang Bin, Wang Meng
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4765
  • PDF下载量:  424
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-25
  • 修回日期:  2014-07-24
  • 刊出日期:  2014-12-05

/

返回文章
返回