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C, N, O原子在金属V中扩散行为的第一性原理计算

杨彪 王丽阁 易勇 王恩泽 彭丽霞

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C, N, O原子在金属V中扩散行为的第一性原理计算

杨彪, 王丽阁, 易勇, 王恩泽, 彭丽霞

First-principles calculations of the diffusion behaviors of C, N and O atoms in V metal

Yang Biao, Wang Li-Ge, Yi Yong, Wang En-Ze, Peng Li-Xia
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  • 基于密度泛函理论, 采用第一性原理计算方法研究了C, N, O原子在金属V中的扩散行为. 首先, 讨论了C, N, O原子在V体心立方晶格中的间隙占位情况, 分析了其在间隙位置与V晶格的相互作用, 并探究了这种相互作用对金属V电子结构的影响. 研究结果表明: C, N, O原子在V的八面体间隙位置更为稳定, 并且C, N, O原子的2p电子与V的3d电子之间有比较强的成键作用; C, N, O原子的扩散势垒分别为0.89, 1.26, 0.98 eV, 并得出了其扩散系数表达式; 最后, 通过阿仑尼乌斯关系图对比了三者在V中扩散系数的大小, 并计算出体系温度在500–1100 K之间时其在V中的扩散系数, 计算结果与实验值基本符合.
    Based on the density functional theory, the diffusion behaviors of C, N and O atoms in V metal are studied by using the first-principles calculation method. Firstly, the site occupations of C, N and O atoms in the interstitials of the bcc V lattice are discussed. The interactions of interstitial C, N and O atoms with V lattice are analyzed, and the influence of the electronic structure on the interaction is explored. The study results show that C, N and O atoms are more stable in octahedral interstice of V metal, and a relatively strong bonding interaction is formed between their 2p-electron and the 3d-electron of V metal. The diffusion barriers of C, N and O atoms are 0.89 eV, 1.26 eV and 0.98 eV, respectively. Thus, the expressions of their diffusion coefficients are obtained. Finally, the diffusion coefficients of C, N and O atoms are compared by the Arrhenius plot. Their diffusion coefficients are calculated at 500-1100 K, and the calculation results are consistent with experimental values.
    • 基金项目: 国防基础科研项目(批准号: B1520133006)和四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地开放基金(批准号: 14zxfk04)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Defense Basic Scientific Research Program of China (Grant No. B1520133006) and the Foundation of State Key Laboratory Cultivation Base for Nonmetal Composites and Functional Materials, China (Grant No. 14zxfk04).
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-05-28
  • 修回日期:  2014-11-03
  • 刊出日期:  2015-01-05

C, N, O原子在金属V中扩散行为的第一性原理计算

  • 1. 西南科技大学材料科学与工程学院, 绵阳 621010;
  • 2. 四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地, 绵阳 621010;
  • 3. 表面物理与化学重点实验室, 绵阳 621907
    基金项目: 国防基础科研项目(批准号: B1520133006)和四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地开放基金(批准号: 14zxfk04)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论, 采用第一性原理计算方法研究了C, N, O原子在金属V中的扩散行为. 首先, 讨论了C, N, O原子在V体心立方晶格中的间隙占位情况, 分析了其在间隙位置与V晶格的相互作用, 并探究了这种相互作用对金属V电子结构的影响. 研究结果表明: C, N, O原子在V的八面体间隙位置更为稳定, 并且C, N, O原子的2p电子与V的3d电子之间有比较强的成键作用; C, N, O原子的扩散势垒分别为0.89, 1.26, 0.98 eV, 并得出了其扩散系数表达式; 最后, 通过阿仑尼乌斯关系图对比了三者在V中扩散系数的大小, 并计算出体系温度在500–1100 K之间时其在V中的扩散系数, 计算结果与实验值基本符合.

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