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单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

吕懿 张鹤鸣 胡辉勇 杨晋勇 殷树娟 周春宇

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单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型

吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇

A model of capacitance characteristic for uniaxially strained Si N-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Lü Yi, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Yang Jin-Yong, Yin Shu-Juan, Zhou Chun-Yu
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-08-28
  • 修回日期:  2014-10-27
  • 刊出日期:  2015-03-05

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