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基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器

杨丹 张丽 杨盛谊 邹炳锁

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基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器

杨丹, 张丽, 杨盛谊, 邹炳锁

Low-voltage pentacene photodetector based on a vertical transistor configuration

Yang Dan, Zhang Li, Yang Sheng-Yi, Zou Bing-Suo
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  • 并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数, 被广泛应用于光敏(电)晶体管中. 垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级, 能有效提高器件的性能和工作频率, 同时降低能耗. 本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D). 实验发现, 在工作电压低至-3 V时, 并五苯光电探测器ITO/Pentacene (80 nm)/Al(15 nm)/ Pentacene(80 nm)/Au 的阈值电压为-0.9 V, “开/关”电流比为104, 表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能. 在350-750 nm的不同波长单色光照射下, 器件的“明/暗”电流比和响应度随入射波长而变化; 在350 nm单色光照射下, 该光电探测器的“明/暗”电流比的最大值达到308, 其对应的响应度为219 mA·W-1, 大于标准硅基探测器在350 nm 单色光照射下的探测率. 这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.
    Due to the excellent characteristics of field-effect transistor and its high absorption coefficient in the visible region, pentacene has been widely used in phototransistors. The channel length of the vertical transistor could be designed to be very short (on the order of nanometers). In this way, the device performances and its working frequency can be effectively improved, and the energy consumption can be reduced simultaneously. In this paper, we fabricate a kind of low-voltage pentacene photodetector ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D), based on the vertical transistor configuration. The threshold voltage and “on/off” current ratio are -0.9 V and 104 at a low working-voltage of -3 V, respectively. The pentacene photodetector ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene (80 nm)/Au exhibits a good p-type transistor behavior and low-voltage-controlling performance. The photosensitivity and responsivity vary with incident monochromatic light from 350 nm to 750 nm, and the photosensitivity peak of 308 is obtained at 350 nm with a responsivity of 219 mA·W-1, which is even higher than that of the standard Si-based photodetector under 350 nm incident light. Therefore, this work provides an easy way to fabricate a high sensitivity all-organic photodetector working at low voltages.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60777025)、北京市科技新星计划交叉学科合作(批准号: XXHZ201204)、北京理工大学杰出中青年教师支持计划(批准号: BIT-JC-201005)和“111”引智计划(批准号: BIT111-201101)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60777025), the Cooperation Project of Beijing Nova Program, China (Grant No. XXHZ201204), the Foundation of Distinguished Teacher, China (Grant No. BIT-JC-201005) and the “111” Research Base at Beijing Institute of Technology, China (Grant No. BIT111-201101).
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-08-01
  • 修回日期:  2014-11-24
  • 刊出日期:  2015-05-05

基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器

  • 1. 北京理工大学物理学院, 纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室, 北京 100081;
  • 2. 北京理工大学材料科学与工程学院, 纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室, 北京 100081
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60777025)、北京市科技新星计划交叉学科合作(批准号: XXHZ201204)、北京理工大学杰出中青年教师支持计划(批准号: BIT-JC-201005)和“111”引智计划(批准号: BIT111-201101)资助的课题.

摘要: 并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数, 被广泛应用于光敏(电)晶体管中. 垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级, 能有效提高器件的性能和工作频率, 同时降低能耗. 本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D). 实验发现, 在工作电压低至-3 V时, 并五苯光电探测器ITO/Pentacene (80 nm)/Al(15 nm)/ Pentacene(80 nm)/Au 的阈值电压为-0.9 V, “开/关”电流比为104, 表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能. 在350-750 nm的不同波长单色光照射下, 器件的“明/暗”电流比和响应度随入射波长而变化; 在350 nm单色光照射下, 该光电探测器的“明/暗”电流比的最大值达到308, 其对应的响应度为219 mA·W-1, 大于标准硅基探测器在350 nm 单色光照射下的探测率. 这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.

English Abstract

参考文献 (23)

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