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脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析

李俊霖 李瑞宾 丁李利 陈伟 刘岩

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脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析

李俊霖, 李瑞宾, 丁李利, 陈伟, 刘岩

Analysis of vertical parasitic effect induced by pulsed γ- ray through TCAD Simulation in NMOS from 180nm to 40nm technology node

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出版历程
  • 收稿日期:  2021-09-10
  • 上网日期:  2021-10-29

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