搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

薄膜厚度对射频磁控溅射β-Ga2O3薄膜光电性能的影响*

李秀华 张敏

引用本文:
Citation:

薄膜厚度对射频磁控溅射β-Ga2O3薄膜光电性能的影响*

李秀华, 张敏

Effect of film thickness on photoelectric properties of β-Ga2O3 films by radio frequency magnetron sputtering*

PDF
HTML
导出引用
计量
  • 文章访问数:  671
  • PDF下载量:  13
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2021-09-18
  • 上网日期:  2021-10-29

薄膜厚度对射频磁控溅射β-Ga2O3薄膜光电性能的影响*

  • 辽宁师范大学
    基金项目: 国家级-国家自然科学基金(51101080)

摘要: 本文在室温下利用射频磁控溅射技术在(001)蓝宝石衬底上制备了不同厚度的β-Ga2O3薄膜,随后将其置于氩气气氛中800℃退火1h.利用XRD、SEM、UV-vis分光光度计、PL光致发光光谱仪和Keithley 4200-SCS半导体表征系统等考察薄膜厚度对所得氧化镓薄膜相组成、表面形貌、光学性能以及光电探测性能的影响.结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜结晶质量提高,840nm薄膜最佳,1050nm薄膜结晶质量略有降低.不同厚度β-Ga2O3薄膜在波长200-300nm日盲区域内均具有明显的紫外光吸收,禁带宽度随着薄膜厚度的增加而增加.PL谱中各发光峰峰强随着薄膜厚度的增加而减小,表明氧空位及其相关缺陷受到抑制.在β-Ga2O3薄膜基础上制备出日盲紫外光电探测器的探测性能(光暗电流比,响应度,探测率,外量子效率)也随薄膜厚度的增加呈先增后减的趋势.厚度约为840nm的β-Ga2O3紫外光电探测器,在5V偏压下,表现出极低的暗电流(4.9×10-12A),以及在波长254nm(600μW/cm2)紫外光照下,表现出较高的光暗电流比(3.2×105),较短的响应时间0.09/0.80s(上升时间)、0.06/0.53s(下降时间),其响应度、探测率和外量子效率分别为1.19mA/W、1.9×1011 Jones和0.58%,且其光电流随光功率密度和偏置电压的增加几乎呈现线性增加,可以用于制作日盲紫外探测器.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回