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												doi: 10.7498/aps.73.20240173 | 
							
									| [2] | 杨亚帆, 王建州, 商翔宇, 王涛, 孙树瑜. 高温下钙蒙脱石膨胀特性的分子动力学模拟. 物理学报,
												2022, 71(4): 043102.
												
												doi: 10.7498/aps.71.20211565 | 
							
									| [3] | 孙小伟, 宋婷, 刘子江, 万桂新, 张磊, 常文利. 氟化镁高压萤石结构稳定性及热物性的数值模拟. 物理学报,
												2020, 69(15): 156202.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20200289 | 
							
									| [4] | 方宇, 吴幸智, 陈永强, 杨俊义, 宋瑛林. Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.69.20200397 | 
							
									| [5] | 乔建良, 徐源, 高有堂, 牛军, 常本康. 反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究. 物理学报,
												2017, 66(6): 067903.
												
												doi: 10.7498/aps.66.067903 | 
							
									| [6] | 张明兰, 杨瑞霞, 李卓昕, 曹兴忠, 王宝义, 王晓晖. GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究. 物理学报,
												2013, 62(11): 117103.
												
												doi: 10.7498/aps.62.117103 | 
							
									| [7] | 卢志文, 仲志国, 刘克涛, 宋海珍, 李根全. 高温高压下Ag-Mg-Zn合金中金属间化合物的微观结构与热动力学性质的第一性原理计算. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.62.016106 | 
							
									| [8] | 赵艳红, 刘海风, 张其黎. 高温高压下爆轰产物中不同种分子间的相互作用. 物理学报,
												2012, 61(23): 230509.
												
												doi: 10.7498/aps.61.230509 | 
							
									| [9] | 王度阳, 孙慧卿, 解晓宇, 张盼君. GaN基LED量子阱内量子点发光性质的模拟分析. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.61.227303 | 
							
									| [10] | 乔建良, 常本康, 钱芸生, 王晓晖, 李飙, 徐源. GaN真空面电子源光电发射机理研究. 物理学报,
												2011, 60(12): 127901.
												
												doi: 10.7498/aps.60.127901 | 
							
									| [11] | 赵艳红, 刘海风, 张弓木, 张广财. 高温高压下爆轰产物分子间相互作用的研究. 物理学报,
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									| [12] | 乔建良, 常本康, 钱芸生, 高频, 王晓晖, 徐源. 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.60.107901 | 
							
									| [13] | 金豫浙, 胡益培, 曾祥华, 杨义军. GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.59.1258 | 
							
									| [14] | 乔建良, 田思, 常本康, 杜晓晴, 高频. 负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究. 物理学报,
												2009, 58(8): 5847-5851.
												
												doi: 10.7498/aps.58.5847 | 
							
									| [15] | 周  梅, 赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响. 物理学报,
												2008, 57(7): 4570-4574.
												
												doi: 10.7498/aps.57.4570 | 
							
									| [16] | 蒙  康, 姜森林, 侯利娜, 李  蝉, 王  坤, 丁志博, 姚淑德. Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.55.2476 | 
							
									| [17] | 宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究. 物理学报,
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									| [18] | 万  威, 唐春艳, 王玉梅, 李方华. GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.54.4273 | 
							
									| [19] | 秦  琦, 于乃森, 郭丽伟, 汪  洋, 朱学亮, 陈  弘, 周均铭. 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究. 物理学报,
												2005, 54(11): 5450-5454.
												
												doi: 10.7498/aps.54.5450 | 
							
									| [20] | 郭宝增. 用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料的电子输运特性. 物理学报,
												2002, 51(10): 2344-2348.
												
												doi: 10.7498/aps.51.2344 |