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邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟

茅惠兵 景为平 俞建国 王基庆 王 力 戴 宁

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邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟

茅惠兵, 景为平, 俞建国, 王基庆, 王 力, 戴 宁

Kinetic Monte Carlo simulation of the epitaxial growth mechanism on the vicinal surface

Mao Hui-Bing, Jing Wei-Ping, Yu Jian-Guo, Wang Ji-Qing, Wang Li, Dai Ning
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-06-19
  • 修回日期:  2006-01-13
  • 刊出日期:  2006-05-05

邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟

  • 1. (1)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062; (2)华东师范大学信息科学技术学院,上海 200062;中国科学院红外物理国家实验室,上海 200083; (3)南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通 226007; (4)中国科学院红外物理国家实验室,上海 200083
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60576059,90407009)、江苏省专用集成电路设计重点实验室开放课题(批准号:JSICK0401)和中国科学院红外物理国家实验室开放课题(批准号:200401)资助的课题.

摘要: 用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度.

English Abstract

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