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掺Pb,Ga对Ce:YIG晶体磁光性能的影响

张国营 程 勇 张学龙 夏 天 薛刘萍

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掺Pb,Ga对Ce:YIG晶体磁光性能的影响

张国营, 程 勇, 张学龙, 夏 天, 薛刘萍

Effect of Pb, Ga doping on magneto-optical propertics of Ce:YIG crystal

Zhang Guo-Ying, Cheng Yong, Zhang Xue-Long, Xia Tian, Xue Liu-Ping
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-28
  • 修回日期:  2005-10-23
  • 刊出日期:  2006-05-20

掺Pb,Ga对Ce:YIG晶体磁光性能的影响

  • 1. (1)上海理工大学医疗器械学院,上海 200093; (2)中国矿业大学理学院,徐州 221008
    基金项目: 上海市自然科学基金(批准号:032R14071)资助的课题.

摘要: 研究了掺Pb,Ga对Ce:YIG晶体的晶场、交换作用和磁光Faraday效应的影响.当Ga3+离子取代量为12%时,交换作用有效场减少51%,导致Ce3+离子最低两个能级的占有概率之差减少49%.Ga3+离子取代,同时影响分子场和晶场;而Pb2+离子的取代,只影响晶体场,对分子场的影响甚微.掺杂对稀土石榴石晶体的磁光性能有较大影响.

English Abstract

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