GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

徐海红; 焦中兴; 刘晓东; 雷  亮; 文锦辉; 王  惠; 林位株; 赖天树

doi:10.7498/aps.55.2618

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

徐海红 , 焦中兴 , 刘晓东 , 雷亮 , 文锦辉 , 王惠 , 林位株 , 赖天树

引用本文:

Citation:

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

徐海红, 焦中兴, 刘晓东, 雷亮, 文锦辉, 王惠, 林位株, 赖天树

物理学报, 2006, 55(5): 2618-2622.

doi: 10.7498/aps.55.2618

Studies on the temperature and energy dependence of g factor in GaAs by femtosecond laser absorption quantum beats

Xu Hai-Hong, Jiao Zhong-Xing, Liu Xiao-Dong, Lei Liang, Wen Jin-Hui, Wang Hui, Lin Wei-Zhu, Lai Tian-Shu

Acta Phys. Sin., 2006, 55(5): 2618-2622.

doi: 10.7498/aps.55.2618

摘要
采用时间分辨椭圆偏振光抽运-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学，观察到吸收量子拍现象.这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动，因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种新方法.利用这种新方法研究了本征GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性，发现g因子随电子的温度和能量增加而增加，但与k·p理论预测相差甚大.基于实验结果拟合，我们给出了一个g因子的温度和能量依赖的经验公式.

关键词:
椭圆偏振光抽运-探测光谱 /

自旋量子拍 /

g因子 /

GaAs
Abstract
Time-resolved elliptically polarized pump-probe spectroscopy developed by us is used to study spin relaxation dynamics of electrons in an intrinsic GaAs under an external magnetic field. Absorption quantum beats are observed and attributed to Larmor precession of electron spin around the magnetic field. The frequency of this quantum beat is used as a new method to measure electronic g factor with high accuracy. In this paper, this new method is utilized to investigate the temperature and energy dependence of electronic g factor in the intrinsic GaAs. It is found that electronic g factor increases with the temperature and energy of electrons, which is guitc different from the dependence predicted by k·p theory. An empirical formula is given to describe the temperature and energy dependence of g factor by fitting experimental data.

Keywords:
elliptically polarized pump-probe spectroscopy /

spin quantum beat /

g factor /

GaAs
作者及机构信息
徐海红,

焦中兴,

刘晓东,

雷亮,

文锦辉,

王惠,

林位株,

赖天树

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：60378006, 10274170)和国家自然科学基金重大项目(批准号：60490290)及广东省自然科学基金(批准号：04009736)、科技厅重点引导项目(批准号：2004B10101006) 、高等学校博士学科点基金(批准号：20050558030)资助的课题.
Authors and contacts
Xu Hai-Hong,

Jiao Zhong-Xing,

Liu Xiao-Dong,

Lei Liang,

Wen Jin-Hui,

Wang Hui,

Lin Wei-Zhu,

Lai Tian-Shu

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275
参考文献

施引文献

[1]	李明, 姚宁, 冯志波, 韩红培, 赵正印. 外加电场和Al组分对纤锌矿AlGaN/GaN量子阱中的电子g因子的影响. 物理学报, 2018, 67(5): 057101. doi: 10.7498/aps.67.20172213
[2]	毕娟, 金光勇, 倪晓武, 张喜和, 姚志健. 532nm长脉冲激光致GaAs热分解损伤的半解析法分析. 物理学报, 2012, 61(24): 244209. doi: 10.7498/aps.61.244209
[3]	魏来明, 周远明, 俞国林, 高矿红, 刘新智, 林铁, 郭少令, 戴宁, 褚君浩, Austing David Guy. 高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子. 物理学报, 2012, 61(12): 127102. doi: 10.7498/aps.61.127102
[4]	王杰, 韩勤, 杨晓红, 倪海桥, 贺继方, 王秀平. 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器. 物理学报, 2012, 61(1): 018502. doi: 10.7498/aps.61.018502
[5]	牛军, 张益军, 常本康, 熊雅娟. GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究. 物理学报, 2011, 60(4): 044210. doi: 10.7498/aps.60.044210
[6]	王秀平, 杨晓红, 韩勤, 鞠研玲, 杜云, 朱彬, 王杰, 倪海桥, 贺继方, 王国伟, 牛智川. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究. 物理学报, 2011, 60(2): 020703. doi: 10.7498/aps.60.020703
[7]	彭银生, 叶小玲, 徐波, 牛洁斌, 贾锐, 王占国, 梁松, 杨晓红. 二维GaAs 基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析. 物理学报, 2010, 59(10): 7073-7077. doi: 10.7498/aps.59.7073
[8]	牛军, 杨智, 常本康, 乔建良, 张益军. 反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率模型研究. 物理学报, 2009, 58(7): 5002-5006. doi: 10.7498/aps.58.5002
[9]	唐欣欣, 罗文芸, 王朝壮, 贺新福, 查元梓, 樊胜, 黄小龙, 王传珊. 低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究. 物理学报, 2008, 57(2): 1266-1270. doi: 10.7498/aps.57.1266
[10]	滕利华, 余华梁, 左方圆, 文锦辉, 林位株, 赖天树. 本征GaAs中电子自旋极化的能量演化研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6598-6603. doi: 10.7498/aps.57.6598
[11]	滕利华, 余华梁, 黄志凌, 文锦辉, 林位株, 赖天树. 本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6593-6597. doi: 10.7498/aps.57.6593
[12]	刘霖, 叶玉堂, 吴云峰, 方亮, 陆佳佳. GaAs表面不同运动状态H2SO4-H2O2-H2O液滴的红外辐射特性. 物理学报, 2007, 56(6): 3172-3177. doi: 10.7498/aps.56.3172
[13]	杨柳, 殷春浩, 焦扬, 张雷, 宋宁, 茹瑞鹏. 掺入Ni元素的LiCoO2晶体光谱结构及电子顺磁共振g因子. 物理学报, 2006, 55(4): 1991-1996. doi: 10.7498/aps.55.1991
[14]	郭立俊, Jan-Peter Wüstenberg, Andreyev Oleksiy, Michael Bauer, Martin Aeschlimann. 利用飞秒双光子光电子发射研究GaAs(100)的自旋动力学过程. 物理学报, 2005, 54(7): 3200-3205. doi: 10.7498/aps.54.3200
[15]	陈鸣波, 崔容强, 王亮兴, 张忠卫, 陆剑峰, 池卫英. p-n 型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究. 物理学报, 2004, 53(11): 3632-3636. doi: 10.7498/aps.53.3632
[16]	袁先漳, 缪中林. Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究. 物理学报, 2004, 53(10): 3521-3524. doi: 10.7498/aps.53.3521
[17]	柳强, 巩马理, 闫平, 贾维溥, 崔瑞祯, 王东生. GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究. 物理学报, 2002, 51(12): 2756-2760. doi: 10.7498/aps.51.2756
[18]	张红梅, 马东平, 刘德. LiNbO_3:Ni~(2+)的常压能谱和g因子. 物理学报, 2002, 51(7): 1554-1558. doi: 10.7498/aps.51.1554
[19]	金鹏, 潘士宏, 梁基本. SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究. 物理学报, 2000, 49(9): 1821-1828. doi: 10.7498/aps.49.1821
[20]	杜懋陆, 谌家军, 陈康生. Ni2+—6X-络合物g因子的双自旋—轨道耦合系数模型. 物理学报, 1992, 41(7): 1174-1181. doi: 10.7498/aps.41.1174

计量

文章访问数: 6936
PDF下载量: 844
被引次数: 0

物理学报. 2006, 55(5): 2618-2622.

doi: 10.7498/aps.55.2618.

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：60378006, 10274170)和国家自然科学基金重大项目(批准号：60490290)及广东省自然科学基金(批准号：04009736)、科技厅重点引导项目(批准号：2004B10101006) 、高等学校博士学科点基金(批准号：20050558030)资助的课题.

收稿日期: 2005-08-12
修回日期: 2005-10-18
刊出日期: 2006-05-20

摘要: 采用时间分辨椭圆偏振光抽运-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学，观察到吸收量子拍现象.这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动，因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种新方法.利用这种新方法研究了本征GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性，发现g因子随电子的温度和能量增加而增加，但与k·p理论预测相差甚大.基于实验结果拟合，我们给出了一个g因子的温度和能量依赖的经验公式.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

Studies on the temperature and energy dependence of g factor in GaAs by femtosecond laser absorption quantum beats

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

Authors and contacts

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

参考文献

施引文献

目录

计量

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

English Abstract

Studies on the temperature and energy dependence of g factor in GaAs by femtosecond laser absorption quantum beats

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

Studies on the temperature and energy dependence of g factor in GaAs by femtosecond laser absorption quantum beats

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

Authors and contacts

1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

English Abstract

Studies on the temperature and energy dependence of g factor in GaAs by femtosecond laser absorption quantum beats

1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275

1.
中山大学光电材料与技术国家重点实验室，物理系，广州市 510275