β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

潘洪哲; 徐  明; 祝文军; 周海平

doi:10.7498/aps.55.3585

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β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

潘洪哲 , 徐明 , 祝文军 , 周海平

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β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

潘洪哲, 徐明, 祝文军, 周海平

物理学报, 2006, 55(7): 3585-3589.

doi: 10.7498/aps.55.3585

First-principles study on the electrical structures and optical properties of β-Si3N4

Pan Hong-Zhe, Xu Ming, Zhu Wen-Jun, Zhou Hai-Ping

Acta Phys. Sin., 2006, 55(7): 3585-3589.

doi: 10.7498/aps.55.3585

摘要
采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质，得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律，为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.

关键词:
β相氮化硅 /

电子结构 /

能带结构 /

光学性质
Abstract
Electrical structures and optical properties of β-Si3N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-potential method (PWP) with GGA. The results such as lattice constants and band structures are in good agreement with experimental data. Furthermore, the pressure-dependent coefficient and band gap of β-Si3N4 have also been calculated, which will be helpful in the application of Si3N4 under high pressure.

Keywords:
β-Si3N4 /

electrical structure /

band structure /

optical properties
作者及机构信息
潘洪哲¹,

徐明³,

祝文军²,

周海平¹

(1)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068；中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室，绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068；重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065

基金项目: 四川省教育厅重点基金项目(批准号：2005A092)和四川师范大学重点研究项目(批准号：037003)资助的课题.
Authors and contacts
Pan Hong-Zhe¹,

Xu Ming³,

Zhu Wen-Jun²,

Zhou Hai-Ping¹

(1)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068；中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室，绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068；重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065
参考文献

施引文献

[1]	潘凤春, 林雪玲, 曹志杰, 李小伏. Fe, Co, Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质. 物理学报, 2019, 68(18): 184202. doi: 10.7498/aps.68.20190290
[2]	吕常伟, 王臣菊, 顾建兵. 高温高压下立方氮化硼和六方氮化硼的结构、力学、热力学、电学以及光学性质的第一性原理研究. 物理学报, 2019, 68(7): 077102. doi: 10.7498/aps.68.20182030
[3]	刘欢, 李公平, 许楠楠, 林俏露, 杨磊, 王苍龙. Cu离子注入单晶TiO2微结构及光学性质的模拟研究. 物理学报, 2016, 65(20): 206102. doi: 10.7498/aps.65.206102
[4]	胡永金, 吴云沛, 刘国营, 罗时军, 何开华. ZnTe结构相变、电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2015, 64(22): 227802. doi: 10.7498/aps.64.227802
[5]	余本海, 陈东. 用密度泛函理论研究氮化硅新相的电子结构、光学性质和相变. 物理学报, 2014, 63(4): 047101. doi: 10.7498/aps.63.047101
[6]	吴琼, 刘俊, 董前民, 刘阳, 梁培, 舒海波. 硫化锡电子结构和光学性质的量子尺寸效应. 物理学报, 2014, 63(6): 067101. doi: 10.7498/aps.63.067101
[7]	李建华, 崔元顺, 曾祥华, 陈贵宾. ZnS结构相变、电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2013, 62(7): 077102. doi: 10.7498/aps.62.077102
[8]	潘磊, 卢铁城, 苏锐, 王跃忠, 齐建起, 付佳, 张燚, 贺端威. -AlON晶体电子结构和光学性质研究. 物理学报, 2012, 61(2): 027101. doi: 10.7498/aps.61.027101
[9]	陈懂, 肖河阳, 加伟, 陈虹, 周和根, 李奕, 丁开宁, 章永凡. 半导体材料AAl2C4(A=Zn, Cd, Hg; C=S, Se)的电子结构和光学性质. 物理学报, 2012, 61(12): 127103. doi: 10.7498/aps.61.127103
[10]	王寅, 冯庆, 王渭华, 岳远霞. 碳-锌共掺杂锐钛矿相TiO2 电子结构与光学性质的第一性原理研究 . 物理学报, 2012, 61(19): 193102. doi: 10.7498/aps.61.193102
[11]	宋久旭, 杨银堂, 郭立新, 王平, 张志勇. 反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究. 物理学报, 2012, 61(23): 237301. doi: 10.7498/aps.61.237301
[12]	焦照勇, 杨继飞, 张现周, 马淑红, 郭永亮. 闪锌矿GaN弹性性质、电子结构和光学性质外压力效应的理论研究. 物理学报, 2011, 60(11): 117103. doi: 10.7498/aps.60.117103
[13]	逯瑶, 王培吉, 张昌文, 蒋雷, 张国莲, 宋朋. 第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质. 物理学报, 2011, 60(6): 063103. doi: 10.7498/aps.60.063103
[14]	于峰, 王培吉, 张昌文. Al掺杂SnO2 材料电子结构和光学性质. 物理学报, 2011, 60(2): 023101. doi: 10.7498/aps.60.023101
[15]	李旭珍, 谢泉, 陈茜, 赵凤娟, 崔冬萌. OsSi2电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2010, 59(3): 2016-2021. doi: 10.7498/aps.59.2016
[16]	张学军, 高攀, 柳清菊. 氮铁共掺锐钛矿相TiO2电子结构和光学性质的第一性原理研究. 物理学报, 2010, 59(7): 4930-4938. doi: 10.7498/aps.59.4930
[17]	孔祥兰, 侯芹英, 苏希玉, 齐延华, 支晓芬. Ba0.5Sr0.5TiO3电子结构和光学性质的第一性原理研究. 物理学报, 2009, 58(6): 4128-4131. doi: 10.7498/aps.58.4128
[18]	段满益, 徐明, 周海平, 陈青云, 胡志刚, 董成军. 碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 物理学报, 2008, 57(10): 6520-6525. doi: 10.7498/aps.57.6520
[19]	邢海英, 范广涵, 赵德刚, 何苗, 章勇, 周天明. Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6513-6519. doi: 10.7498/aps.57.6513
[20]	关丽, 刘保亭, 李旭, 赵庆勋, 王英龙, 郭建新, 王书彪. 萤石结构TiO2的电子结构和光学性质. 物理学报, 2008, 57(1): 482-487. doi: 10.7498/aps.57.482

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物理学报. 2006, 55(7): 3585-3589.

doi: 10.7498/aps.55.3585.

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

1. (1)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068；中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室，绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所，成都 610068；重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065

基金项目: 四川省教育厅重点基金项目(批准号：2005A092)和四川师范大学重点研究项目(批准号：037003)资助的课题.

收稿日期: 2005-11-25
修回日期: 2006-01-17
刊出日期: 2006-07-20

摘要: 采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质，得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律，为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.

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