搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

张 辉 刘应书 刘文海 王宝义 魏 龙

引用本文:
Citation:

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

张 辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏 龙

The effect of temperature of substrate and oxygen partial pressure on V2O5 films fabricated by magnetron sputtering

PDF
导出引用
  • 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提
    The properties of vanadium pentoxide (V2O5) films deposited by reactive DC sputtering from vanadium target were investigated. In particular, the chemical state of elements and microstructure of films were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray diffraction and field-emission scanning electron microscopy. The percentage of oxygen in the sputtering chamber affects the chemical state of vanadium in the film. Higher oxygen partial pressure makes to vanadium to be oxidized from V4+ to V5+, and the grain size increased with grain a shape of needles, but the content of oxygen with high binding energy decreases. Higher temperature of substrates causes the grains to grow from needles to large flakes lying parallel to the substrate, and vanadium is oxidized to the stable high binding energy states.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  6135
  • PDF下载量:  1177
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-18
  • 修回日期:  2007-07-05
  • 刊出日期:  2007-06-05

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

  • 1. 
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回