搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

半导体远红外反射镜中反射率和相位研究

徐 敏 张月蘅 沈文忠

引用本文:
Citation:

半导体远红外反射镜中反射率和相位研究

徐 敏, 张月蘅, 沈文忠

Reflectivity and phase shift of semiconductor far-infrared mirrors

Xu Min, Zhang Yue-Heng, Shen Wen-Zhong
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  6220
  • PDF下载量:  1021
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-14
  • 修回日期:  2006-12-14
  • 刊出日期:  2007-02-05

半导体远红外反射镜中反射率和相位研究

  • 1. 上海交通大学物理系,上海 200240
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10125416, 10304010, 60576067)和上海市青年科技启明星跟踪计划(批准号:05QMH1411)资助的课题.

摘要: 以GaAs材料为例,研究了半导体远红外反射镜中的反射率和相位.通过拟合不同掺杂浓度下样品的远红外反射谱,得到了自由载流子的弛豫时间随掺杂浓度变化的经验公式,并把该规律应用到数值计算中.详细讨论了反射镜的结构和材料参数对反射率R和相位φ的影响.根据腔体内吸收率最高的判据得到了最优的反射镜的参数,并计算了这种优化后的反射镜的波长选择特性.最后,通过远红外反射光谱的测量,从实验上验证了这种反射镜的实际效果. 所得结论为半导体远红外器件中的反射镜设计提供了参考.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回