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镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究

王公堂 刘秀喜

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镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究

王公堂, 刘秀喜

Research of the Ga and Al double-impurity doping technique for making fast switching thyristor

Wang Gong-Tang, Liu Xiu-Xi
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-13
  • 修回日期:  2007-02-12
  • 刊出日期:  2007-04-05

镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究

  • 1. 山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014
    基金项目: 山东省自然科学基金(批准号:Y2003A01)资助的课题.

摘要: 采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散Si片的杂质分布规律、薄层电阻RS及快速晶闸管的多项参数.利用该技术制造的快速晶闸管的关断时间toff为31.2—38.6 μs,开通时间ton为4.6—5.9 μs,通态峰值压降

English Abstract

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