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三元硅化物CaAlSi的结构和超导电性

物理学报, 2007, 56(8): 4960-4964.
DOI: 10.7498/aps.56.4960
CSTR: 32037.14.aps.56.4960

Structure and superconductivity of the ternary silicide CaAlSi

Acta Phys. Sin., 2007, 56(8): 4960-4964.
DOI: 10.7498/aps.56.4960
CSTR: 32037.14.aps.56.4960
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  • 摘要

    应用线性响应的线性糕模轨道方法计算AlB2型结构的新超导体CaAlSi的电子能带、声子谱及电子-声子耦合常数，并讨论了它们的超导电性.通过比较两种结构模型的计算结果可以看出：若CaAlSi中Al，Si原子沿c轴方向以—Al—Al—Al—(或—Si—Si—Si—) 排列，低频B1g模式的声子频率沿A-L方向出现虚频, 使得这种结构处于不稳定状态，电子-声子耦合表现异常增大；若Al，Si原子沿c轴

     

    Abstract

    V+ were implanted into anantase films by metal ion implantation. The electronic band structures of TiO2 films doped with V+ were calculated using a self-consistent full-potential linearized augmented plane-wave method with

     

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