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一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器

周 梅 左淑华 赵德刚

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一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器

周 梅, 左淑华, 赵德刚

A new Schottky barrier structure of GaN-based ultraviolet photodetector

Zhou Mei, Zuo Shu-Hua, Zhao De-Gang
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-28
  • 修回日期:  2007-02-01
  • 刊出日期:  2007-09-20

一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083; (2)中国农业大学理学院应用物理系,北京 100083
    基金项目: 中国农业大学青年教师启动基金(基金号:2006007)资助的课题.

摘要: 提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究结果还表明:采取较薄、载流子浓度较高的AlGaN层更有利于提高这种新结构器件的量子效率.

English Abstract

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