用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

何  萌; 刘国珍; 仇  杰; 邢  杰; 吕惠宾

doi:10.7498/aps.57.1236

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

何萌 , 刘国珍 , 仇杰 , 邢杰 , 吕惠宾

引用本文:

Citation:

编辑推荐

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

何萌, 刘国珍, 仇杰, 邢杰, 吕惠宾

物理学报, 2008, 57(2): 1236-1240.

doi: 10.7498/aps.57.1236

Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy

He Meng, Liu Guo-Zhen, Qiu Jie, Xing Jie, Lü Hui-Bin

Acta Phys. Sin., 2008, 57(2): 1236-1240.

doi: 10.7498/aps.57.1236

摘要
采用激光分子束外延技术，利用两步法，在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示， TiN薄膜材料表面光滑，在10 μm×10 μm范围内，均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示，TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm，迁移率达到5830 cm2/V·S，表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底

关键词:
激光分子束外延 /

TiN单晶薄膜 /

外延生长
Abstract
TiN thin films have been successfully epitaxially grown on Si substrates by laser molecular-beam epitaxy using the two-step method. The thin film has a smooth surface with a root-mean-square roughness of 0842nm over a 10μm×10μm area. Hall measurement shows that the resistivity of the TiN film is 36×10-5 Ω·cm and the mobility is up to 5830 cm2/V·S at room temperature，which implies that TiN thin film is an excellent electrode material. The X-ray diffraction (XRD) θ—2θ scan result together with the very high mobility show that the TiN film has high quality. The result that SrTiO3 thin film can be subseguently epitaxially grown on TiN/Si substrate indicates that the TiN thin film on Si substrate not only has good thermal stability, but also can be used as buffers or bottom electrode for epitaxial growth of other thin films or multilayer films.

Keywords:
L-MBE /

TiN /

epitaxial growth
作者及机构信息
何萌,

刘国珍,

仇杰,

邢杰,

吕惠宾

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：60576015)资助的课题.
Authors and contacts
He Meng,

Liu Guo-Zhen,

Qiu Jie,

Xing Jie,

Lü Hui-Bin

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080
参考文献

施引文献

[1]	刘天瑶, 刘灿, 刘开辉. 表界面调控米级二维单晶原子制造. 物理学报, 2022, 71(10): 108103. doi: 10.7498/aps.71.20212399
[2]	张静娴, 保明睿, 叶飞, 刘佳, 成龙, 翟晓芳. SrRuO₃超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联. 物理学报, 2022, 0(0): 0-0. doi: 10.7498/aps.72.20221854
[3]	易有根, 王瑜英, 胡奇峰, 张彦彬, 彭勇宜, 雷红文, 彭丽萍, 王雪敏, 吴卫东. ZnCdO/ZnO单量子阱结构及其荧光发射特性. 物理学报, 2016, 65(5): 057802. doi: 10.7498/aps.65.057802
[4]	陈振飞, 冯露, 赵洋, 齐红蕊. 力和扩散机理下外延形貌的演化分析. 物理学报, 2015, 64(13): 138103. doi: 10.7498/aps.64.138103
[5]	陈城钊, 郑元宇, 黄诗浩, 李成, 赖虹凯, 陈松岩. 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长. 物理学报, 2012, 61(7): 078104. doi: 10.7498/aps.61.078104
[6]	苏少坚, 汪巍, 张广泽, 胡炜玄, 白安琪, 薛春来, 左玉华, 成步文, 王启明. Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜. 物理学报, 2011, 60(2): 028101. doi: 10.7498/aps.60.028101
[7]	张营堂, 何萌, 陈子瑜, 吕惠宾. 用激光分子束外延在玻璃衬底上生长La0.67Sr0.33MnO3薄膜. 物理学报, 2009, 58(3): 2002-2004. doi: 10.7498/aps.58.2002
[8]	喻利花, 董师润, 许俊华, 李戈扬. TaN/TiN和NbN/TiN纳米结构多层膜超硬效应及超硬机理研究. 物理学报, 2008, 57(11): 7063-7068. doi: 10.7498/aps.57.7063
[9]	李美亚, 汪晶, 刘军, 于本方, 郭冬云, 赵兴中. YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性. 物理学报, 2008, 57(5): 3132-3137. doi: 10.7498/aps.57.3132
[10]	喻利花, 董松涛, 董师润, 许俊华. AlN/Si3N4纳米多层膜的外延生长与力学性能. 物理学报, 2008, 57(8): 5151-5158. doi: 10.7498/aps.57.5151
[11]	刘艳, 董云杉, 岳建岭, 李戈扬. 反应磁控溅射ZrN/AlON纳米多层膜的晶体生长和超硬效应. 物理学报, 2006, 55(11): 6013-6019. doi: 10.7498/aps.55.6013
[12]	康祥喆, 叶辉. 铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究. 物理学报, 2006, 55(9): 4928-4933. doi: 10.7498/aps.55.4928
[13]	周耐根, 周浪, 杜丹旭. 面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程. 物理学报, 2006, 55(1): 372-377. doi: 10.7498/aps.55.372
[14]	孔明, 魏仑, 董云杉, 李戈扬. TiN/Al2O3纳米多层膜的共格外延生长及超硬效应. 物理学报, 2006, 55(2): 770-775. doi: 10.7498/aps.55.770
[15]	魏仑, 梅芳华, 邵楠, 李戈扬, 李建国. TiN/SiO2纳米多层膜的晶体生长与超硬效应. 物理学报, 2005, 54(4): 1742-1748. doi: 10.7498/aps.54.1742
[16]	劳技军, 孔明, 张惠娟, 李戈扬. TiN/SiC纳米多层膜的生长结构与力学性能. 物理学报, 2004, 53(6): 1961-1966. doi: 10.7498/aps.53.1961
[17]	劳技军, 胡晓萍, 虞晓江, 李戈扬, 顾明元. AlN在AlN/VN纳米多层膜中的相转变及其对薄膜力学性能的影响. 物理学报, 2003, 52(9): 2259-2263. doi: 10.7498/aps.52.2259
[18]	王剑屏, 郝跃, 彭军, 朱作云, 张永华. 蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究. 物理学报, 2002, 51(8): 1793-1797. doi: 10.7498/aps.51.1793
[19]	叶健松, 胡晓君. 超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟. 物理学报, 2002, 51(5): 1108-1112. doi: 10.7498/aps.51.1108
[20]	崔大复, 陈凡, 赵彤, 师文生, 陈正豪, 周岳亮, 吕惠宾, 杨国桢, 黄惠忠, 张宏霞. 激光分子束外延BaTiO3薄膜最顶层表面原子平面与薄膜生长机理. 物理学报, 2000, 49(9): 1878-1882. doi: 10.7498/aps.49.1878

计量

文章访问数: 7181
PDF下载量: 894
被引次数: 0

物理学报. 2008, 57(2): 1236-1240.

doi: 10.7498/aps.57.1236.

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

1. 中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：60576015)资助的课题.

收稿日期: 2007-05-06
修回日期: 2007-06-13
刊出日期: 2008-01-05

摘要: 采用激光分子束外延技术，利用两步法，在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示， TiN薄膜材料表面光滑，在10 μm×10 μm范围内，均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示，TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm，迁移率达到5830 cm2/V·S，表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

Authors and contacts

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

参考文献

施引文献

目录

计量

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

English Abstract

Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

Authors and contacts

1. 中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

English Abstract

Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy

1. 中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080

1.
中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 100080