搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

侯清玉 张 跃 张 涛

引用本文:
Citation:

高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

侯清玉, 张 跃, 张 涛

First principle study on the electron life span of degenerate anatase phase TiO2 semi-conductor with high concentration of oxygen vacancies

Hou Qing-Yu, Zhang Yue, Zhang Tao
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5679
  • PDF下载量:  1001
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-21
  • 修回日期:  2008-02-21
  • 刊出日期:  2008-05-28

高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

  • 1. 北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京 100083
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50436040)资助的课题.

摘要: 为了研究锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度对电子寿命的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法, 用第一性原理对含高氧空位浓度的锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理、能带分布和态密度分布计算, 表明在温度一定和高氧空位浓度的条件下, 锐钛矿TiO2的电子寿命随氧空位浓度的增大而减小;电子浓度的大小对电子寿命无影响.同时,锐钛矿TiO2晶体中高氧空位浓度时,发现有莫特相变的现象.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回