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量子阱数量变化对双波长LED作用的研究

张运炎 范广涵

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量子阱数量变化对双波长LED作用的研究

张运炎, 范广涵

Theoretical study of the effect of changes in the number of quantum wells of dual-wavelength LED

Zhang Yun-Yan, Fan Guan-Han
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-18
  • 修回日期:  2010-10-28
  • 刊出日期:  2011-07-15

量子阱数量变化对双波长LED作用的研究

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008),教育部博士点基金(批准号: 350163)和2010年省部产学研结合引导项目(批准号: 2010B090400192)资助的课题.

摘要: 采用软件理论分析的方法分析了InGaN/GaN量子阱数量变化对双波长发光二极管发光光谱、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等产生的影响.分析结果表明,量子阱数量的增加会引起载流子分配不均的现象,所以量子阱数量的增加并不能有效地提升载流子复合率、内量子效率和发光强度,还会引起开启电压升高的现象,影响能量转化效率.此外,不同发光波长的量子阱数量的增加会引起发光光谱强度的变化.

English Abstract

参考文献 (18)

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